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IRF9392TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:
IRF9392TRPBF-VB是一款高性能的P溝道MOSFET,採用SOP8封裝,適用於低電壓和高效率應用。該MOSFET利用Trench技術設計,具有優越的開關性能和低導通電阻。其最大漏源電壓(VDS)為-30V,柵源電壓(VGS)為±20V,適合在負電壓環境中使用。IRF9392TRPBF-VB的門限電壓(Vth)為-1.7V,確保低電壓驅動下的良好開關特性。該器件在VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,而在VGS=10V時為18mΩ。這些特性使得IRF9392TRPBF-VB在低電壓高效應用中表現出色,適合用於需要高開關速度和低功耗的電路。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-9A
- **技術**:Trench技術
- **輸入電容 (Ciss)**:高達1000pF
- **輸出電容 (Coss)**:高達400pF
- **反向恢復時間 (trr)**:適用於高速開關應用

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例:
IRF9392TRPBF-VB MOSFET由於其優異的開關性能和低導通電阻,廣泛應用於以下領域和模組:

1. **電源管理**:
在電源管理系統中,IRF9392TRPBF-VB可以用於高效的電源開關,特別是在負電壓應用場景下。這使其在電池供電設備和可攜式電子產品中尤為有效,能夠提高系統效率並減少能量損耗。

2. **電機驅動**:
該MOSFET在電機控制模組中表現出色,尤其是用於電機的正反轉控制或開關。其低導通電阻和高開關速度使其在電機啟動、停止和調速中表現良好。

3. **負載開關**:
IRF9392TRPBF-VB適用於各種負載開關應用。在需要控制大電流負載的場合,如LED照明、繼電器驅動等,這款MOSFET提供了快速回應和低功耗的解決方案。

4. **DC-DC轉換器**:
在DC-DC轉換器中,IRF9392TRPBF-VB可作為開關元件,用於提高轉換效率並降低熱量。其低RDS(ON)特性有助於減少功耗,提高整個系統的效率。

5. **開關電源(SMPS)**:
IRF9392TRPBF-VB在開關模式電源中也發揮著重要作用。由於其高效的開關能力和低導通電阻,它能夠在各種電源轉換應用中提供穩定的性能。

IRF9392TRPBF-VB的高效能和低功耗特點使其在多種高效電路設計中非常實用,特別是在負電壓和高開關頻率的應用場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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