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IRF9Z10-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF9Z10-VB 產品簡介
IRF9Z10-VB 是一款高電流 P 溝道功率 MOSFET,封裝為 TO220。它設計用於中高電壓負載應用,具有 -60V 的漏源擊穿電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),適合用於各種高電壓開關和調節電路。閾值電壓 (Vth) 為 -1.7V,導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 74mΩ,在 VGS=10V 時為 62mΩ。最大漏極電流 (ID) 為 -40A。IRF9Z10-VB 採用先進的 Trench 技術,提供低導通損耗和優異的開關性能,是高電流、高電壓應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
IRF9Z10-VB 參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **溝道配置**: 單 P 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -40A
- **技術**: Trench
- **耗散功率**: 94W(最大)
- **結與環境的熱阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **結與殼體的熱阻 (RθJC)**: 1.6°C/W
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 175°C
- **開關時間**: 開啟時間約為 50ns,關閉時間約為 80ns

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
1. **高電流電源開關**
IRF9Z10-VB 適用於需要處理高電流的電源開關應用,如 DC/DC 轉換器和電源管理模組。其高電流能力和低導通電阻使其能在高負載條件下穩定運行,提供高效的電源開關解決方案。

2. **電動汽車**
在電動汽車的電池管理系統中,該 MOSFET 可用作高電流負載開關,保證電池保護和功率轉換的可靠性。其高電流處理能力使其適合於電池系統的高效管理。

3. **太陽能逆變器**
IRF9Z10-VB 可以用於太陽能逆變器中的高電流負載開關和電壓調節。其優異的開關性能和低導通損耗使其適合於高功率光伏逆變器中的應用。

4. **工業電機控制**
在工業電機控制系統中,該 MOSFET 能夠有效驅動高電流電機負載,適用於需要高電壓和高電流控制的工業應用,確保電機和控制系統的高效運行。

5. **電源保護**
IRF9Z10-VB 可用於電源保護電路中的過流保護和負載開關,防止電路組件的損壞,並提供穩定的電源保護,提升整體系統的安全性和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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