推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

IRF9Z24-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:
IRF9Z24-VB是一款高性能P溝道MOSFET,封裝為TO220,專為處理高電流和中高電壓應用設計。該MOSFET具有最大漏源電壓(VDS)為-60V,能夠在高電壓環境下穩定工作。其柵源電壓(VGS)範圍為±20V,確保在寬範圍的柵電壓下保持可靠的開關性能。閾值電壓(Vth)為-1.7V,使得該MOSFET能夠在較低的柵電壓下導通。IRF9Z24-VB採用Trench技術,提供了低導通電阻和高電流處理能力。在VGS=4.5V時,其導通電阻(RDS(ON))為74mΩ,而在VGS=10V時為62mΩ。其最大漏極電流(ID)為-40A,適合於需要大電流的應用。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-40A
- **技術**:Trench技術
- **最大功耗**:94W
- **輸入電容 (Ciss)**:高達2000pF
- **輸出電容 (Coss)**:高達1000pF
- **反向恢復時間 (trr)**:適用於高速開關應用

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例:
IRF9Z24-VB MOSFET的高電流和中高電壓處理能力使其在多種應用中表現出色,尤其是在高功率電源和控制系統中。

1. **電源管理系統**:
在電源管理系統中,IRF9Z24-VB可以用作電源開關和調節模組。其60V的漏源電壓和高電流能力使其適合用於高電壓電源的開關和調節,能夠有效地處理電源轉換和穩壓應用。

2. **DC-DC轉換器**:
該MOSFET在DC-DC轉換器中表現優異,適用於需要高電流和中高電壓的應用。其低導通電阻和高電流處理能力有助於提高轉換效率和降低功耗,適合用於高功率電源轉換模組。

3. **負載開關**:
IRF9Z24-VB適合用於各種負載開關應用,尤其是需要高電流負載控制的場合。其高電流能力和低導通電阻使其在工業設備、電動汽車系統以及其他高電流負載的控制中表現出色。

4. **電機控制**:
在電機控制系統中,IRF9Z24-VB能夠處理高電流,適用於電機的啟動、停止和調速。其高電流處理能力和穩定的開關性能使其在電機驅動和控制電路中非常有效,特別是在要求高電流的應用中。

5. **開關電源(SMPS)**:
該MOSFET的中高電壓和低導通電阻特性使其在開關模式電源(SMPS)中非常合適,能夠處理高電流和中高電壓的開關需求,如高功率電源轉換和穩壓應用。

IRF9Z24-VB的高電流和高效能特性使其在電源管理、電機控制和開關電源等領域中表現優異,特別是在需要高可靠性和穩定性的高功率應用中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢