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IRFB260NPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRFB260NPBF-VB 產品簡介

IRFB260NPBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,專為處理中高電壓和高電流應用而設計。它採用TO220封裝,具備良好的熱管理特性,使其適合在高功率環境下使用。該MOSFET 具有200V的漏源電壓(VDS)額定值,能夠在高電壓下穩定工作。其柵源電壓(VGS)範圍為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為3V,這意味著它能在較低的柵電壓下有效導通。導通電阻(RDS(ON))在柵電壓為10V時為46mΩ,有助於降低功耗和提高開關效率。最大漏極電流為50A,使其適用於處理大電流的應用。IRFB260NPBF-VB 採用Trench技術,優化了導通電阻和開關性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
IRFB260NPBF-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 200V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 50A
- **功率耗散**: 94W(最大)
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 150°C
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

IRFB260NPBF-VB 適用領域與應用模組

1. **電源開關**:
IRFB260NPBF-VB 非常適合用於電源開關應用,例如DC-DC轉換器和電源管理模組。其低導通電阻和高電流處理能力使其在高電流電源開關中表現出色,能夠有效降低功耗並提高系統效率。

2. **電機驅動**:
在電機驅動應用中,如電動汽車、電機控制器和工業電機驅動,IRFB260NPBF-VB 能夠處理較高的電流需求,並提供穩定的電流控制。其優異的開關性能有助於提高電機的運行效率和可靠性。

3. **功率放大器**:
在功率放大器應用中,例如音頻放大器和射頻放大器,IRFB260NPBF-VB 能夠處理高電流和高電壓需求,確保功率放大器的高效運行。其低導通電阻有助於提高功率放大器的整體性能。

4. **高功率開關**:
IRFB260NPBF-VB 適用於各種高功率開關應用,如電源保護和電力電子設備。它能夠處理高電壓和大電流負載,確保開關操作的穩定性和可靠性。

5. **電池管理系統**:
在電池管理系統中,例如電池保護電路和充電控制,IRFB260NPBF-VB 能夠處理高電流需求,並提供可靠的開關控制。這有助於確保電池的安全性和高效充電。

IRFB260NPBF-VB 的高電壓和高電流處理能力,以及低導通電阻,使其在電源開關、電機驅動、功率放大器、高功率開關和電池管理等領域中成為一個理想的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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