IRFB3207PBF-VB - VBsemi MOSFETs製造商

IRFB3207PBF-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

一、IRFB3207PBF-VB 產品簡介
IRFB3207PBF-VB 是一款 N 溝道 MOSFET，採用 TO220 封裝，具有較低的導通電阻和高電流處理能力。其最大漏源電壓 (VDS) 為 80V，柵源電壓 (VGS) 範圍為 ±20V。該器件基於 Trench 技術，具有高效的開關特性和出色的功率密度，非常適合高功率、高電流的應用場景，如電源管理系統和電機驅動等。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	80V		3V	195A		Trench

二、IRFB3207PBF-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 195A
- **技術類型**: Trench（溝槽型）

領域和模塊應用：

三、適用領域與模組應用舉例
1. **汽車電子**: IRFB3207PBF-VB 適用於汽車的電池管理系統 (BMS) 和電源轉換模組。這種 MOSFET 的高電流處理能力使其非常適合需要大電流和高效開關的電路，如汽車直流-直流轉換器或電動汽車驅動系統中的電機控制器。

2. **電源管理**: 由於其低導通電阻和高電流承載能力，該 MOSFET 非常適合用於高效率的開關電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS)。它可以提高系統的能效並減少熱耗散，在需要高電流且開關頻率較高的電源設計中發揮重要作用。

3. **工業控制與電機驅動**: IRFB3207PBF-VB 也常用於工業領域的電機控制器，特別是在需要處理高電流負載的電機驅動應用中。這些應用包括自動化設備、電動工具以及需要高功率輸出的工業機械。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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