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IRFB42N20DPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

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IRFB42N20DPBF-VB 是一款高性能單通道N型MOSFET,採用TO220封裝,設計用於高電壓、高電流的開關和功率管理應用。它的漏源電壓(VDS)額定值為200V,柵源電壓(VGS)為±20V,具有優異的導通電阻(RDS(ON))和良好的開關特性,採用Trench技術製造,確保高效能量傳輸和可靠的操作。適合用於各種高功率應用中,如電源轉換、電機控制及能源管理系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
詳細參數說明:
- **型號**: IRFB42N20DPBF-VB
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 200V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 50A
- **技術**: Trench(溝槽技術)

領域和模塊應用:

應用領域和模組:
1. **電源轉換器**: IRFB42N20DPBF-VB 在DC-DC轉換器和AC-DC電源模組中表現優異,適用於高效率電源轉換的應用場景,例如高性能計算設備的電源供應和電源適配器。

2. **電機控制**: 由於其50A的高電流承載能力,這款MOSFET適用於電機驅動應用,如工業自動化設備中的電機控制模組,提供穩定的電流控制和高效的開關性能。

3. **開關電源(SMPS)**: 在開關模式電源中,IRFB42N20DPBF-VB 通過其低導通電阻和高電壓耐受能力,可以有效減少能量損失,適用於需要高功率轉換和高效率的場合,如伺服器電源和通信設備的電源模組。

4. **太陽能逆變器**: 在太陽能發電系統中,這款MOSFET可以用於太陽能逆變器中,控制逆變器的功率傳輸,提升系統的效率和可靠性。

IRFB42N20DPBF-VB 的高電壓和高電流處理能力使其在多個高功率應用領域中表現出色,廣泛用於電源管理、電機控制和能源轉換系統等重要模組中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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