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IRFBC20-VB 產品詳細

產品簡介:

IRFBC20-VB 產品簡介

**IRFBC20-VB** 是一款高耐壓的 N-channel MOSFET,採用 TO220 封裝,專為中高電壓應用設計。這款 MOSFET 使用 Planar 技術,以提供良好的電氣性能和可靠性。儘管其導通電阻較高,但它的高耐壓特性使其適合用於需要高電壓耐受的應用場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
詳細參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:2A
- **技術**:Planar

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **高電壓開關應用**:
IRFBC20-VB 的高漏極-源極電壓 (VDS) 使其非常適合用於高電壓開關應用。在這些應用中,它能夠有效地處理高電壓負荷,例如高電壓電源開關、電源保護電路和高電壓負載開關。

2. **功率放大器電路**:
在功率放大器電路中,IRFBC20-VB 可以用作高電壓功率開關。儘管其導通電阻較高,但其高電壓承受能力使其適用於一些需要高電壓驅動的放大器電路,如音頻放大器和射頻功率放大器。

3. **電源保護和開關**:
IRFBC20-VB 可用於電源保護電路中,如過壓保護和過流保護。其高電壓耐受性和可靠性使其適合用於保護電源免受高電壓衝擊的應用,以及在電源開關中處理高電壓情況。

4. **電力轉換器**:
在一些電力轉換器應用中,例如高電壓 DC-DC 轉換器和 AC-DC 適配器,IRFBC20-VB 的高電壓能力使其能夠穩定地處理高電壓輸入。然而,其較高的導通電阻可能限制了其在高效率電力轉換中的應用。

雖然 IRFBC20-VB 的導通電阻相對較高,但其高電壓承受能力使其在高電壓和功率處理要求的場合中表現出色。適用於需要高電壓保護和開關功能的應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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