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IRFBC30PBF-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:IRFBC30PBF-VB

IRFBC30PBF-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,採用TO220封裝和Plannar技術。該MOSFET專為高電壓應用設計,能夠承受高達650V的漏極-源極電壓(VDS)和最大4A的連續漏極電流(ID)。雖然其導通電阻(RDS(ON))較高,為2200mΩ @ VGS = 10V,但其高電壓耐受能力使其適用於對電壓要求嚴格的應用場合。IRFBC30PBF-VB 提供了良好的開關性能和可靠性,適合在需要高電壓處理的電力電子系統中使用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A 2200mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
詳細參數說明:
1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:單N溝道MOSFET
3. **漏源極電壓(VDS)**:650V
4. **柵源極電壓(VGS)**:±30V
5. **閾值電壓(Vth)**:3.5V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:2200mΩ @ VGS = 10V
7. **連續漏極電流(ID)**:4A
8. **工作技術**:Plannar技術
9. **功率耗散(Pd)**:75W
10. **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C
11. **柵極電荷(Qg)**:不適用(通常根據實際應用中的驅動要求來考慮)
12. **輸入電容(Ciss)**:不適用(一般在高電壓應用中較少涉及)

領域和模塊應用:

適用領域和模組舉例:

1. **高壓電源開關**:IRFBC30PBF-VB 的高電壓承受能力使其適合用作高壓電源開關。它可以在高電壓環境下穩定工作,例如在高壓DC-DC轉換器中,能夠有效控制高電壓輸出和輸入。

2. **逆變器**:在逆變器應用中,尤其是需要高電壓的逆變器,如太陽能逆變器和風力發電逆變器,IRFBC30PBF-VB 的高電壓耐受能力使其能夠有效地處理高電壓轉換,確保逆變器的穩定運行。

3. **高壓電機驅動系統**:在高壓電機驅動系統中,IRFBC30PBF-VB 能夠提供穩定的開關性能,適用於需要高電壓控制的電機驅動器。例如,在電動車輛的高壓電機系統中,這款MOSFET可以用來管理電機的高電壓輸入。

4. **工業電力電子設備**:在一些工業電力電子設備中,如高壓電源模組和功率調節器,IRFBC30PBF-VB 的高電壓處理能力和穩定性能夠保證系統的可靠運行,尤其是在需要高電壓切換和控制的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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