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IRFBE30PBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRFBE30PBF-VB 產品簡介

**IRFBE30PBF-VB** 是一款高電壓 N-channel MOSFET,採用 TO220 封裝,設計用於處理高電壓應用。這款 MOSFET 使用 Planar 技術,以確保在高電壓條件下的穩定性和可靠性。其較高的漏極-源極電壓(VDS)和適中的導通電阻使其適合於各種高電壓開關和功率管理應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
詳細參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:850V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:2700mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:4A
- **技術**:Planar

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **高電壓開關電源**:
IRFBE30PBF-VB 的高漏極-源極電壓(VDS)使其非常適合用於高電壓開關電源應用。在這些應用中,它能夠處理高電壓負載,確保電源的安全開關和控制,例如在高壓直流電源或高壓交流電源中作為開關元件。

2. **功率放大器電路**:
在功率放大器電路中,IRFBE30PBF-VB 可以用作高電壓功率開關。儘管其導通電阻較高,但其高電壓能力使其適用於需要高電壓處理的放大器應用,如射頻功率放大器和音頻功率放大器。

3. **電源保護電路**:
在電源保護電路中,IRFBE30PBF-VB 可用於過電壓和過電流保護。其高電壓耐受性確保了在電源出現異常時能夠安全地進行保護,適用於各種電源保護應用,如電源保護開關和電源故障檢測系統。

4. **高電壓功率轉換器**:
在一些高電壓功率轉換器應用中,例如高電壓 DC-DC 轉換器和 AC-DC 適配器,IRFBE30PBF-VB 的高電壓能力使其能夠穩定地處理高電壓輸入。儘管其導通電阻較高,但在高電壓處理要求的功率轉換器中,仍能發揮有效的作用。

IRFBE30PBF-VB 的高電壓承受能力和可靠性使其在高電壓應用中表現出色,是處理高電壓負載和功率管理的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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