產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DIP8 |
Dual-P |
-200V |
|
-3V |
-1.5A |
|
|
500mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DIP8 |
Dual-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DIP8 |
Dual-P |
-200V |
|
-3V |
-1.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DIP8 |
Dual-P |
-200V |
|
-3V |
-1.5A |
|
Trench |
詳細參數說明:
- **封裝**:DIP8
DIP8 封裝適用於雙列直插安裝的電路板,便於固定和焊接。
- **配置**:雙 P 通道
該 MOSFET 包含兩個 P 通道,每個通道可以獨立控制,適合在需要雙極性開關控制的應用中使用。
- **漏源電壓 (VDS)**:-200V
可以承受最大 **-200V** 的漏極與源極之間的電壓,適合高電壓負載開關。
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
最大柵極與源極之間的電壓,確保在高電壓條件下的安全操作。
- **閾值電壓 (Vth)**:-3V
使 MOSFET 導通所需的最低柵極電壓,適合負電壓控制應用。
- **開態電阻 (RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
導通時漏極與源極之間的電阻,提供較低的功耗和高效的電流傳輸。
- **漏電流 (ID)**:-1.5A
MOSFET 可持續處理的最大電流,適合中等電流應用。
- **技術**:Trench
Trench 技術提供了較低的開態電阻和高效的電導性能,優化了功率損耗和熱性能。
領域和模塊應用:
應用舉例:
1. **高電壓負載開關**:
**IRFD9210PBF-VB** 在高電壓負載開關應用中表現優異,能夠可靠地控制高達 **-200V** 的負載。例如,它可以用於高電壓電源的開關控制,確保在開關操作中維持穩定性和低功耗。
2. **高電壓逆變器**:
該 MOSFET 可用於高電壓逆變器應用中,如用於太陽能或風能逆變器。其高電壓耐受能力和中等電流處理能力確保了電力轉換的高效和穩定,適合於高電壓電力管理系統中。
3. **電機驅動控制**:
在高電壓電機驅動控制系統中,例如工業電機控制,**IRFD9210PBF-VB** 可以用來處理電機的高電壓開關操作。其雙 P 通道配置可以用於實現對電機的雙向控制,提供可靠的電流管理。
4. **電源管理系統**:
在電源管理系統中,特別是涉及高電壓電源的場合,該 MOSFET 可用於負載開關或電源保護電路。其高電壓承受能力和低開態電阻使其能夠有效管理電源中的負載,提升系統的效率和可靠性。
**IRFD9210PBF-VB** 的高電壓耐受能力、適中的電流處理能力以及雙 P 通道配置,使其在高電壓負載開關和電源管理應用中具有廣泛的適用性,能夠滿足多種高電壓電力控制需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性