產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
|
2mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
詳細參數說明：
1. **封裝類型**：DFN8 (5x6)
2. **配置**：單N溝道MOSFET
3. **漏源極電壓（VDS）**：40V
4. **柵源極電壓（VGS）**：±20V
5. **閾值電壓（Vth）**：3V
6. **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 2mΩ @ VGS = 10V
7. **連續漏極電流（ID）**：120A
8. **工作技術**：Trench技術
9. **功率耗散（Pd）**：根據應用場景進行具體計算。
10. **工作溫度範圍**：-55°C 至 150°C
11. **總柵極電荷（Qg）**：通常根據驅動條件具體確定。
12. **輸入電容（Ciss）**：通常用於優化驅動電路中的開關速度。
領域和模塊應用：
適用領域和模組舉例：
1. **高效能DC-DC轉換器**：IRFH5204TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用於高效能的DC-DC轉換器。這款MOSFET 可以在高電流和高負載條件下提供穩定的開關性能，廣泛應用於數據中心電源、工業電源和電力管理系統中。
2. **電動汽車電源管理**：在電動汽車的電源管理系統中，這款MOSFET 能夠高效處理電池充放電回路中的高電流。低導通損耗特性有助於提高電動汽車系統的整體效率，減少熱量產生，提高系統可靠性。
3. **電機驅動控制**：IRFH5204TRPBF-VB 適用於高功率電機驅動應用，如工業自動化電機控制和高性能風扇控制。其高電流處理能力和低導通電阻能夠確保電機平穩運行並提高系統效率。
4. **開關電源（SMPS）**：在開關電源模組中，這款MOSFET 的優異性能可以減少開關損耗，提高功率轉換效率，適用於消費電子、電力適配器和通訊設備中的開關電源設計。
5. **太陽能逆變器**：IRFH5204TRPBF-VB 也適用於光伏系統中的逆變器。其高電流能力和低導通電阻能有效提升太陽能發電系統的效率，在將直流電轉換為交流電的過程中提供穩定的性能。
IRFH5204TRPBF-VB 的卓越特性使其成為各種高電流和高功率應用中的理想選擇，特別是在對電源效率和可靠性要求高的場合。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
立即下載
中文
English
返回上級頁面.png)
