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IRFH5255TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介 - IRFH5255TRPBF-VB MOSFET

IRFH5255TRPBF-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,採用DFN8 (5x6)封裝,專為高電流、高效率應用設計。其最大漏極-源極電壓為30V,最大漏極電流為120A,能夠在高電流條件下保持極低的導通電阻。該MOSFET的導通電阻在VGS為10V時僅為3mΩ,使其在高效電源轉換和開關應用中表現出色。IRFH5255TRPBF-VB採用Trench技術,提供卓越的開關性能和低功耗特性,適用於要求嚴格的電源管理和負載開關場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
詳細參數說明

- **型號**: IRFH5255TRPBF-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 150°C
- **封裝類型**: DFN8 (5x6),具有高密度封裝和良好的熱管理能力。

領域和模塊應用:

應用領域和模組

1. **電源轉換與管理**:
IRFH5255TRPBF-VB在電源轉換模組中展現出卓越的性能,如DC-DC轉換器和AC-DC電源。其極低的導通電阻和高電流處理能力使其能夠高效地降低功率損耗,提高系統的整體轉換效率。這使得該MOSFET在高性能計算、通信設備和數據中心電源管理中表現出色。

2. **負載開關和電動機驅動**:
在負載開關和電動機驅動應用中,IRFH5255TRPBF-VB的高電流處理能力和低導通電阻使其成為高效開關的理想選擇。它可以承受高電流負載,適用於工業自動化設備、電動工具和家用電器的控制系統,確保平穩可靠的開關操作。

3. **電動汽車和電池管理系統**:
IRFH5255TRPBF-VB由於其高電流處理能力和低導通電阻,適用於電動汽車的電池管理系統(BMS)和電動驅動模組。它能夠處理電池充放電過程中的大電流,並提供高效的能量轉換和管理,適合電動汽車、電池儲能系統和其他高功率電池應用。

4. **可再生能源系統**:
在太陽能逆變器和其他可再生能源系統中,該MOSFET能夠高效地處理電力轉換和分配。IRFH5255TRPBF-VB的低導通電阻和高電流處理能力使其能夠在太陽能電池板和能源管理系統中減少能量損失,提高系統的整體效率。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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