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IRFH7928TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRFH7928TRPBF-VB MOSFET 產品簡介:

IRFH7928TRPBF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用了先進的Trench技術,封裝為DFN8 (5x6)。它專為中低電壓(30V)和高電流(120A)應用設計,具有極低的導通電阻。其1.7V的閾值電壓使其在較低柵極電壓下就能有效導通,從而提高了整體系統的效率。這款MOSFET的設計目標是提供高效能和可靠性,適用於需要高電流處理和低功耗的現代電子系統中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
詳細參數說明:

- **封裝**: DFN8 (5x6),該封裝有助於實現緊湊的設計和高效的散熱,非常適合高功率密度應用。
- **配置**: 單極N溝道MOSFET。
- **VDS(漏源電壓)**: 30V,適合處理中低電壓應用。
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V,支持寬範圍的柵極驅動電壓,確保穩定的開關性能。
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V,較低的閾值電壓使其能夠在較低的柵極電壓下實現開關操作。
- **RDS(ON)(導通電阻)**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V,提供低導通電阻,減少功耗。
- 3mΩ @ VGS=10V,進一步降低了導通電阻,提高了高電流條件下的功率效率。
- **ID(連續漏電流)**: 120A,能夠處理高電流負載,適用於大功率應用。
- **技術**: Trench技術,優化了導通電阻和開關速度,提高了整體性能,特別適用於高頻率和高電流應用。

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領域和模塊應用:

應用實例:

1. **高效電源轉換器**:
在 **高效電源轉換器** 中,IRFH7928TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其成為理想的選擇。其30V的漏源電壓和120A的連續漏電流能力使其適合用於電源轉換模組,例如電腦電源和工業電源中,有效提高了能效並減少了能量損失。

2. **負載開關**:
對於 **負載開關** 應用,IRFH7928TRPBF-VB 提供了出色的電流承載能力和低導通電阻,適合用於控制高功率負載,如電動機驅動器和LED驅動器。其快速開關性能和高電流能力能夠確保負載開關的穩定性和可靠性。

3. **DC-DC轉換器**:
在 **DC-DC轉換器** 中,IRFH7928TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流承載能力可以顯著提升轉換效率,減少功耗,適用於高功率密度和高效率的電源管理系統,如手機充電器和電源適配器。

4. **電動汽車應用**:
在 **電動汽車** 中,該MOSFET 可用於電池管理系統和電機驅動系統。由於其高電流能力和低功耗特點,它能有效支持電池充電、功率分配和電機控制,提高電動汽車的整體性能和續航能力。

5. **通信設備**:
對於 **通信設備** 中的功率放大器和電源管理模組,IRFH7928TRPBF-VB 提供了高效的電流控制和電源轉換。其低導通電阻和高電流處理能力能夠確保設備的穩定運行和高效性能,特別是在需要高功率密度和低功耗的應用場景中。

IRFH7928TRPBF-VB MOSFET 在多個領域中展現了其卓越的性能,尤其適合於高效電源轉換、負載開關、DC-DC轉換器、電動汽車應用以及通信設備等場景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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