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IRFHS9351TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介 - IRFHS9351TRPBF-VB MOSFET

IRFHS9351TRPBF-VB是一款雙N溝道MOSFET,採用DFN6 (2x2)-B封裝,專為低電壓、高效率應用設計。這款MOSFET提供負載開關解決方案,適用於負極開關和電源管理任務。其最大漏極-源極電壓為-30V,柵極-源極電壓為±12V,具備良好的電流處理能力和開關性能。通過採用Trench技術,IRFHS9351TRPBF-VB在低電壓下表現出色,能有效減少導通損耗,適用於各種電子應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A 38mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-P+P -30V -1.7V -5.4A Trench
詳細參數說明

- **型號**: IRFHS9351TRPBF-VB
- **封裝**: DFN6 (2x2)-B
- **配置**: 雙P溝道(P+P)
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -5.4A
- **技術**: Trench
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 150°C
- **封裝類型**: DFN6 (2x2)-B,提供緊湊的尺寸和優良的熱管理能力。

領域和模塊應用:

應用領域和模組

1. **負極開關應用**:
IRFHS9351TRPBF-VB在負極開關應用中表現優異。其雙P溝道配置使其能夠高效地進行負載開關,尤其適用於負載開關電路中的低側開關。廣泛應用於便攜設備、汽車電子和小型電源模組中。其低導通電阻確保了低功耗和高效開關。

2. **電源管理系統**:
在電源管理系統中,IRFHS9351TRPBF-VB可用於電源轉換器和穩壓器的負載開關。其Trench技術帶來的低導通電阻和高電流處理能力可以提高電源的轉換效率,並降低整體系統的功耗。這使其適用於筆記本電腦、電源適配器和通信設備的電源管理模組。

3. **負載控制**:
這款MOSFET在負載控制應用中也表現出色,如電機驅動和負載開關。其雙P溝道配置和低導通電阻使其適合用作負載控制的高效開關,在汽車電子和工業自動化中尤為有效。例如,可以在汽車電池管理系統中使用來控制高電流負載的開關。

4. **低壓開關應用**:
IRFHS9351TRPBF-VB因其低閾值電壓和低導通電阻,在低壓開關應用中表現優異。特別適合用於低壓電源開關和電池管理系統的開關電路。其緊湊的DFN6 (2x2)-B封裝也使其非常適合小型電子設備和可攜式應用。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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