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IRFI1310GPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IRFI1310GPBF-VB產品簡介

IRFI1310GPBF-VB是一款高性能N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓和高電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為1.8V。在VGS=10V時,IRFI1310GPBF-VB的導通電阻(RDS(ON))為36mΩ,在VGS=4.5V時為38mΩ。最大漏極電流(ID)為55A。該MOSFET採用Trench工藝技術,具有低導通電阻和高電流承載能力,是需要高效能和可靠性的電源管理和開關應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
二、IRFI1310GPBF-VB詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 38mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 55A
- **工藝技術**: Trench
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 175°C
- **最大耗散功率**: 94W(取決於散熱條件)
- **封裝尺寸**: 10.16mm x 4.95mm (TO220封裝)

領域和模塊應用:

三、應用領域與模組說明

1. **電源管理**: 在電源管理系統中,IRFI1310GPBF-VB提供低導通電阻和高電流處理能力,適用於電源開關和穩壓器設計。它能夠高效地管理電流並降低功耗,提升整個電源系統的性能和可靠性。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統和電機驅動控制中,該MOSFET能夠處理高電流並提供穩定的電流控制。其低導通電阻有助於減少熱量生成,提高系統的效率和電池壽命。

3. **工業自動化**: 在工業自動化應用如電機驅動器、繼電器控制和電源轉換器中,IRFI1310GPBF-VB可以穩定地開關高電流,保證設備的高效運行和長期可靠性。

4. **通信設備**: 在通信設備如基站電源管理和信號放大器中,該MOSFET能夠高效地處理高電壓和高電流,提供可靠的開關和電源管理功能,以確保通信設備的穩定性和性能。

5. **消費電子**: 在消費電子產品如電腦電源、電視和家電中,IRFI1310GPBF-VB能夠提供高效的電流開關,優化電源管理,減少功耗,提升產品的能效和運行穩定性。

IRFI1310GPBF-VB憑藉其優越的電氣性能和可靠性,適用於各種高電壓、高電流的應用場景,特別是在需要高效能和穩定性的電源管理和開關應用中表現突出。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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