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IRFZ32-VB 產品詳細

產品簡介:

IRFZ32-VB MOSFET 產品簡介

IRFZ32-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,採用 TO-220 封裝。其設計專注於高電流、高效率的開關應用,能夠承受最高 60V 的漏源電壓 (VDS)。該 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 允許高達 ±20V 的電壓偏差,具有較寬的工作範圍。採用溝槽 (Trench) 技術製造的 IRFZ32-VB 提供了低導通電阻,分別為 28mΩ 和 24mΩ(在 VGS 為 4.5V 和 10V 時),使其在高電流下依然能保持低功耗的特性,支持高達 50A 的連續電流。柵閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,有助於確保高效的開關控制。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
IRFZ32-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO-220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 24mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 50A
- **功率耗散**: 94W (最大值)
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +175°C
- **技術**: 溝槽技術 (Trench)
- **輸入電容 (Ciss)**: 3200 pF (典型值)
- **反向恢復時間 (Trr)**: 140 ns

領域和模塊應用:

適用領域和模組的應用例子

1. **電源管理**: IRFZ32-VB 由於其超低導通電阻和高電流能力,非常適合用於高效的 DC-DC 轉換器和開關電源模組。在高效能電源適配器和電源供應系統中,這款 MOSFET 能夠有效減少功率損失和提升能效。

2. **電機驅動**: 該 MOSFET 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性使其適合用於電機驅動應用,包括工業電機、家用電動工具及自動化系統的電機控制。在這些應用中,IRFZ32-VB 能夠提供穩定的電流控制和高效的電機驅動性能。

3. **消費電子設備**: 在智能家居設備和其他高功率消費電子產品中,IRFZ32-VB 可用作高效能量開關。它能確保低功耗和長時間穩定運行,適合用於電池供電的設備中,如可攜式電子產品和智能設備。

4. **汽車電子**: 由於其耐高溫和高電流的特性,IRFZ32-VB 也非常適合應用於汽車電子系統中,如電動汽車的電池管理系統、燈光控制和電機控制模組。在這些應用中,它能夠應對高電流負載和嚴苛的工作環境。

IRFZ32-VB 以其優異的性能和多功能應用,適合在多個領域中發揮作用,特別是在需要高效能和高可靠性的電源開關和電機控制系統中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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