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IRLD014PBF-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IRLD014PBF-VB 產品簡介
IRLD014PBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為DIP8,基於Trench技術設計。該MOSFET具有60V的漏極-源極電壓(VDS)和±20V的柵極-源極電壓(VGS),適用於中低功率的開關和放大應用。門檻電壓(Vth)範圍為1V至3V,使其在低電壓控制下也能有效工作。該器件的導通電阻(RDS(ON))為120mΩ@VGS=4.5V和100mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為2.5A。IRLD014PBF-VB 提供了良好的開關特性和較低的導通損耗,是各種中小功率應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
二、IRLD014PBF-VB 參數說明
- **封裝**:DIP8
- **極性**:單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:60V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **門檻電壓(Vth)**:1V 至 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:2.5A
- **技術**:Trench
- **最大功率耗散**:1.6W
- **開關速度**:具有較快的開關特性,適合中頻應用。
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 175°C

領域和模塊應用:

三、IRLD014PBF-VB 應用領域與模組舉例
1. **開關電源和小功率電源管理**
IRLD014PBF-VB 的低導通電阻和良好的開關特性使其非常適合用於小功率DC-DC變換器、電源開關和功率調節電路。它能夠提供高效的開關控制,適合於電源適配器、LED驅動器以及小型電源模組中。

2. **電機驅動與控制**
在電機驅動應用中,IRLD014PBF-VB 能夠勝任低功率電機的控制。其適用於步進電機驅動器、直流電機控制模組等設備,提供穩定的電流傳輸和開關性能,用於控制電機的啟動、停止和調速。

3. **負載開關與保護電路**
該MOSFET 可以用於負載開關和保護電路,如開關控制的負載、過流保護和過熱保護等應用。其較低的導通電阻有助於減少開關損耗,適用於各種小型家電、通信設備和消費電子中的保護和開關功能。

4. **模擬信號放大與開關**
IRLD014PBF-VB 的低門檻電壓和快速開關特性使其在模擬信號放大和開關應用中表現優異。它適合用於音頻放大器、信號開關和模擬控制電路,能夠提供可靠的開關和放大性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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