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IRLH5034TR2PBF-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介(IRLH5034TR2PBF-VB)

IRLH5034TR2PBF-VB 是一款高性能的單N溝道功率 MOSFET,採用 DFN8(5x6)封裝。這款 MOSFET 設計用於高效能、高電流應用,具有 40V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為 3V,確保了低門極驅動需求。IRLH5034TR2PBF-VB 的導通電阻在 10V 的柵極電壓下為 2mΩ,提供極低的導通損耗,使其能夠在 120A 的電流下穩定工作。該器件採用了先進的 Trench 技術,適合用於需要高開關頻率和低開關損耗的電源管理和電機驅動應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A Trench
二、詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|---------------------|-------------------------------|
| **型號** | IRLH5034TR2PBF-VB |
| **封裝類型** | DFN8 (5x6) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源極電壓 (VDS)**| 40V |
| **柵源極電壓 (VGS)**| ±20V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 3V |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 2mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)**| 120A |
| **技術** | Trench |
| **工作溫度範圍** | -55°C 至 175°C |
| **最大功耗** | 200W |
| **開關速度** | 快速開關時間,適合高頻應用 |
| **擊穿電壓** | 40V |

領域和模塊應用:

三、適用領域和模組舉例

1. **高效電源轉換器**:IRLH5034TR2PBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用於高效電源轉換器中。這些應用要求 MOSFET 在高電流和高開關頻率下表現出色,該器件能夠有效降低開關損耗,提高系統效率。

2. **電機驅動電路**:在電機驅動應用中,如電動汽車、工業電機驅動器,該 MOSFET 能夠處理高電流負載,並提供穩定和高效的性能。其低導通電阻有助於減少電機驅動系統中的功耗。

3. **開關電源和逆變器**:IRLH5034TR2PBF-VB 適用於開關電源和逆變器中,用於高效地轉換和管理電能。其高開關速度和低導通電阻確保了在高頻操作中的高效能和穩定性。

4. **電源管理系統**:在電源管理系統中,如動態電壓調節和負載開關,該 MOSFET 提供了可靠的高電流處理能力和低開關損耗,是高效能電源模組的理想選擇。

IRLH5034TR2PBF-VB 的出色性能和低導通電阻使其在各種高電流和高效率的應用中表現優異,特別是在電源管理和電機驅動系統中提供了可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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