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IRLHM620TR2PBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRLHM620TR2PBF-VB MOSFET 產品簡介

IRLHM620TR2PBF-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,採用DFN8(3x3)封裝,專為高電流和低導通電阻應用設計。它具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),支持最大70A的漏極電流。該MOSFET的導通電阻非常低,為3mΩ(VGS=4.5V)和2mΩ(VGS=10V),確保在高電流下的低功耗和高效率。使用Trench技術製造,IRLHM620TR2PBF-VB 提供了卓越的開關性能和熱管理,非常適合用於高效能的電源轉換和開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8(3x3)
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 具體功耗取決於散熱條件,通常需要額外的散熱設計以確保穩定運行。
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 175°C

領域和模塊應用:

應用領域及模組

1. **便攜設備電源管理**: 由於IRLHM620TR2PBF-VB 的小巧封裝和高效能,它非常適合用於便攜設備的電源管理模組。其低導通電阻可以有效提高電源的效率,減少能量損耗。

2. **高效DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中,該MOSFET的低導通電阻和高電流處理能力使其能夠提供穩定的電流轉換和高效能,廣泛應用於電腦電源、通信設備和工業電源系統中。

3. **電動汽車驅動系統**: IRLHM620TR2PBF-VB 的高電流承載能力使其適用於電動汽車的電機驅動和電池管理系統。其優良的導通性能有助於提高系統的整體效率和可靠性。

4. **LED驅動應用**: 在高功率LED驅動電路中,該MOSFET可以作為高效的開關器件,控制LED的亮度和開關,提供穩定和高效的光源控制。

5. **智能家居和自動化設備**: 在智能家居系統中,IRLHM620TR2PBF-VB 可以用於電源開關和控制模組,幫助實現低功耗和高效能的設備管理。

這些應用表明,IRLHM620TR2PBF-VB 是一款適合高效能電源管理和開關應用的理想MOSFET,特別是在需要高電流和小型封裝的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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