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IRLHM620TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRLHM620TRPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRLHM620TRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,採用緊湊的 DFN8 (3x3mm) 封裝,非常適合空間受限的應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,支持 ±20V 的柵極驅動電壓 (VGS)。IRLHM620TRPBF-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 柵極電壓下為 3mΩ,在 10V 柵極電壓下為 2mΩ,提供了極低的電阻以減少功耗。其最大連續漏極電流 (ID) 為 70A,使其在高電流應用中表現優異。採用 Trench 技術的這款 MOSFET 保證了在高開關頻率下的卓越性能,適合各種需要高效率和高功率密度的電路設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
IRLHM620TRPBF-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8 (3x3mm)
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術類型**: Trench 技術
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取決於散熱條件)

領域和模塊應用:

應用領域與模組

1. **高效電源管理**
IRLHM620TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於高效電源管理系統。在開關電源 (SMPS) 中,該 MOSFET 能夠有效減少功耗和熱損失,提高整體能效。

2. **移動設備電源**
由於其緊湊的 DFN8 封裝,IRLHM620TRPBF-VB 特別適合空間有限的應用,例如移動設備的電源管理。其高電流能力和低 RDS(ON) 能夠確保設備在高負載下仍能穩定運行。

3. **電動工具和電池管理**
在電動工具和電池管理系統中,這款 MOSFET 能夠處理高電流,並具有優良的導通性能。其高電流能力和低導通電阻使其能夠提供穩定的電流控制,延長電池使用壽命並提高電動工具的效率。

4. **LED 驅動電路**
IRLHM620TRPBF-VB 也適用於高功率 LED 驅動電路。其低 RDS(ON) 有助於提高 LED 的效率和亮度,特別是在高功率 LED 應用中,能夠有效管理電流並減少熱量產生。

這些應用展示了 IRLHM620TRPBF-VB 在需要高功率密度、高效率和緊湊設計的各種領域中的廣泛適用性。它能夠為高性能電源管理、空間受限的移動設備、電池管理系統以及高效 LED 驅動提供可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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