產品簡介：
IRLHM630TRPBF-VB MOSFET 產品簡介
IRLHM630TRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，封裝為DFN8（3x3），適用於高效開關應用和功率管理。這款MOSFET設計用於處理30V的漏源電壓（VDS），並能承受±20V的柵源電壓（VGS）。其柵閾值電壓（Vth）為1.7V，確保了在較低的柵電壓下即可有效導通。IRLHM630TRPBF-VB 使用了先進的溝槽（Trench）技術，具有極低的導通電阻，使其非常適合用於高電流和高頻率的應用場合。
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產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
|
3.9mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
IRLHM630TRPBF-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**: DFN8（3x3）
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術類型**: Trench（溝槽）技術
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 175°C
- **功率耗散 (PD)**: 1.4W
- **封裝引腳**: 八引腳（Drain, Gate, Source × 2）
領域和模塊應用：
應用領域和模組舉例
1. **高效電源轉換**
- IRLHM630TRPBF-VB 在高效電源轉換器和DC-DC轉換模組中非常合適。其極低的導通電阻能夠減少開關損耗，提升電源轉換效率，適用於需要高效能和穩定性能的電源管理系統。
2. **電動汽車（EV）**
- 在電動汽車的電池管理系統和電機控制中，IRLHM630TRPBF-VB 提供了高電流處理能力和低導通電阻，有助於優化電動汽車的整體性能和電池壽命。
3. **電動工具和伺服電機**
- 這款MOSFET 適用於高功率電動工具和伺服電機驅動系統，其高電流承載能力和低導通電阻確保了電機驅動的高效和穩定運行，提升了系統的回應速度和功率傳遞效率。
4. **消費電子和通信設備**
- 在消費電子產品和通信設備中，IRLHM630TRPBF-VB 可用於高頻開關應用，如智能手機和無線通信設備中的功率放大器和開關電源模組，提供穩定的高頻性能和可靠的電流控制。
IRLHM630TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在各種高效能應用中表現卓越，為現代電子系統提供了強大的支持。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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