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IRLHS6376TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

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IRLHS6376TRPBF-VB 是一款 DFN6(2x2)-B 封裝的雙 N 溝道 MOSFET,採用先進的 Trench 技術設計,專為高效率、低功耗應用優化。它具有最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 30V,並能夠承受高達 5.8A 的連續漏極電流 (ID)。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,低柵極電壓下的導通電阻 (RDS(ON)) 為 26mΩ(VGS = 4.5V),在更高柵極電壓下,導通電阻降低至 22mΩ(VGS = 10V)。這使其在需要緊湊封裝和高效開關的應用中表現優異。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
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- **型號:** IRLHS6376TRPBF-VB
- **封裝類型:** DFN6(2x2)-B
- **通道配置:** 雙 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID):** 5.8A
- **技術:** Trench

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領域和模塊應用:

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1. **電源管理:**
IRLHS6376TRPBF-VB 在電源管理系統中表現出色,尤其適用於高效的 DC-DC 轉換器和小型開關電源。其低導通電阻和雙通道配置使其適合在空間有限的電源模組中實現高效開關,優化功率轉換並提高整體系統效率。

2. **低功耗電機驅動:**
在需要緊湊設計和低功耗的電機驅動應用中,如小型風扇、電動工具和玩具,該 MOSFET 的高電流能力和低導通電阻確保電機驅動系統能夠高效穩定地運行,適用於各種低功耗電機控制場景。

3. **便攜設備:**
IRLHS6376TRPBF-VB 由於其小型 DFN6 封裝,非常適合便攜設備,如智能手機、平板電腦和可攜式電子設備中的電源管理和開關控制應用。其高效率和緊湊封裝幫助縮小設備體積,同時保持良好的性能。

4. **高頻開關應用:**
該 MOSFET 的快速開關特性和低導通電阻使其適用於高頻開關應用,如高效 LED 照明和高頻開關模式電源。其緊湊的封裝設計確保了在這些應用中高效、穩定的開關性能。

IRLHS6376TRPBF-VB 的雙 N 溝道配置、高電流承受能力和低導通電阻使其在各種高效、緊湊的應用中提供了卓越的性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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