聯繫方式 線上諮詢
語言

推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB 產品詳細

返回上級頁面

產品簡介：

一、JCS5N50CT產品簡介

JCS5N50CT是一款高電壓單N溝道MOSFET，採用TO220封裝，專為高電壓和中等電流應用設計。其漏源極電壓(VDS)可達600V，適合用於高電壓電源管理和開關電路。該器件的柵源極電壓(VGS)範圍為±30V，閾值電壓(Vth)為3.5V，確保快速開啟。導通電阻(RDS(ON))為1070mΩ（@VGS=4.5V）和780mΩ（@VGS=10V），提供良好的導電性能。採用Plannar技術，JCS5N50CT在性能和穩定性方面均表現優異，適合多種電源管理場景。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載
點擊查看大圖

產品參數：

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
二、JCS5N50CT詳細參數說明

| 參數 | 數值 |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封裝類型** | TO220 |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源極電壓** | 600V |
| **柵源極電壓** | ±30V |
| **閾值電壓** | 3.5V |
| **導通電阻** | 1070mΩ@VGS=4.5V |
| **導通電阻** | 780mΩ@VGS=10V |
| **漏極電流** | 8A |
| **技術類型** | Plannar |

領域和模塊應用：

三、適用領域和模組舉例

1. **高壓電源管理**
JCS5N50CT非常適合用於高壓DC-DC轉換器和電源管理模組，能夠處理600V的電壓，廣泛應用於工業設備和電力分配系統，確保高效能和可靠性。

2. **LED驅動和照明控制**
在LED驅動和照明控制系統中，該MOSFET能夠有效地調控電流，適合於高壓LED燈具的開關與調光應用，提供精確的亮度調節和能效優化。

3. **電機驅動**
JCS5N50CT適用於中等功率的電機驅動電路，尤其在電動工具和家電中，能夠提供穩定的電流輸出，滿足高電壓環境下的電機控制需求。

4. **開關電源與繼電器控制**
作為高壓電子開關，JCS5N50CT可廣泛應用於各種電子設備中的繼電器控制電路，提供可靠的開關性能和保護功能，確保設備的安全運行和可靠性。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂
打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢