JCS9N50CT-O-C-N-B-VB - VBsemi MOSFETs製造商

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

：**

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，採用 TO220 封裝，專為高電壓和中等電流應用設計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 500V，能夠承受 ±30V 的柵源電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 為 3.1V，導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時為 660mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達到 13A。JCS9N50CT 採用平面技術（Plannar），具有優良的熱性能和電氣特性，適用於各種電力電子應用。

**二、

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A			660mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

：**

- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**：500V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：660mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：13A
- **技術**：平面（Plannar）

**

領域和模塊應用：

：**

1. **開關電源**：JCS9N50CT 可廣泛應用於開關電源設計中，特別是在高電壓直流轉換器中。其低導通電阻和高電壓承受能力使其在提高系統效率和穩定性方面表現優異。

2. **電機驅動**：該 MOSFET 適合用於電機控制應用，如無刷直流電機（BLDC）的驅動電路中，可以有效地控制電機的啟動、停止及速度調節。

3. **逆變器**：在太陽能逆變器或其他可再生能源應用中，JCS9N50CT 可以作為高壓開關元件，確保高效的能量轉換，並在極端工作條件下保持穩定。

4. **工業設備**：該 MOSFET 適合用於各種工業控制模組和電力設備中，例如高壓負載開關和電源管理單元，提供可靠的性能和高效的電能控制。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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