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K1021-VB 產品詳細

產品簡介:

K1021-VB MOSFET 產品簡介:

**K1021-VB**是一款高壓N溝道MOSFET,專為需要高漏極-源極電壓的應用而設計,其額定VDS為850V,適用於各種工業和消費電子領域。該MOSFET採用Plannar技術,具備較低的導通電阻(RDS(ON))為2700mΩ,確保在高電壓環境下的優異性能。K1021-VB可承受最高4A的漏極電流,使其在多種應用中表現出色,是電源轉換和開關電源設計中不可或缺的元件。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
K1021-VB 的詳細參數說明:

- **配置**:單個N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓(VDS)**:850V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- **@VGS=10V 時:2700mΩ**
- **漏極電流(ID)**:4A
- **技術**:Plannar
- **封裝**:TO220
- **工作溫度範圍**:通常為-55°C至150°C(具體取決於製造商的詳細資訊)
- **功耗(PD)**:依據TO220封裝的限制,需進一步確認。

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領域和模塊應用:

適用領域和示例:

1. **高壓電源轉換**:
K1021-VB非常適合用於**高壓DC-DC轉換器**,能夠高效地將850V輸入電壓轉換為所需的低電壓,廣泛應用於電力系統和可再生能源技術中。

2. **開關電源**:
由於其較高的VDS和較低的RDS(ON),該MOSFET常用於**開關電源**(SMPS),通過降低開關損耗,提升整體電源效率,適用於各種電子產品的電源管理。

3. **電動機控制**:
K1021-VB可在**電動機驅動**電路中應用,特別是在需要承受高電壓的情況下,能夠提供穩定的工作狀態和良好的熱管理,適合用於工業電機的控制。

4. **逆變器應用**:
在**逆變器**設計中,K1021-VB可作為關鍵開關元件,能夠處理高電壓和高電流,廣泛應用於太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)等設備。

5. **照明和加熱控制**:
該MOSFET也可用於**照明控制系統**和**加熱控制**模組,提供可靠的開關操作,適合LED照明和電熱設備的高效控制。

綜上所述,**K1021-VB**是一款出色的高壓N溝道MOSFET,憑藉其高效能和可靠性,能夠滿足多種行業和領域的電氣需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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