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K16E60W-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
K16E60W-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝為TO220,專為高壓和大電流應用設計,漏源電壓(VDS)可達650V,適用於各種電源管理和開關應用。該器件的最大漏電流為20A,具有較低的導通電阻(RDS(ON)為160mΩ@VGS=10V),能夠在低功耗的同時保證高效能。K16E60W-VB採用SJ_Multi-EPI技術,增強了其熱穩定性和性能一致性,使其成為工業和消費電子領域中理想的選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域與模組
K16E60W-VB因其高壓和大電流特性,廣泛應用於多個領域。首先,在電源轉換器和逆變器中,該MOSFET能夠高效地控制電能的傳輸,特別是在光伏發電系統和電動車輛的動力管理系統中。

其次,在工業電源管理中,K16E60W-VB常被用於馬達驅動和控制電路中,提供穩定的開關性能以提高系統的整體效率和回應速度。

此外,該MOSFET也適用於電池管理系統和UPS(不間斷電源)等應用,其高壓承受能力能夠確保設備在突發情況下的安全性和可靠性。

最後,在家用電器如洗衣機、空調等中,K16E60W-VB的使用能夠提高電力轉換的效率,降低能耗,從而延長設備的使用壽命。綜上所述,K16E60W-VB憑藉其出色的性能和可靠性,成為現代電子產品中不可或缺的組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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