K2646-01-VB - VBsemi MOSFETs製造商

K2646-01-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

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K2646-01-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET，採用 TO220 封裝，專為需要高電壓和較低電流的應用設計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 達到 850V，能夠承受高達 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，確保其在高壓環境下的可靠性。開啟電壓 (Vth) 為 3.5V，且在 VGS 為 10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為 2700mΩ，最大漏極電流 (ID) 為 4A。K2646-01-VB 採用平面技術（Plannar），在電力電子、能源管理和高電壓應用中表現優異。

**二、

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	850V		3.5V	4A			2700mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	850V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	850V		3.5V	4A		Plannar

：**

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 850V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術類型**: 平面技術（Plannar）
- **最大功耗**: 50W（在適當的散熱條件下）
- **工作溫度範圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大脈衝漏極電流 (IDM)**: 12A
- **熱阻**: 6°C/W（結到殼）

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領域和模塊應用：

：**

1. **高壓電源供應**: K2646-01-VB 適用於各種高壓電源供應設備，能夠處理高達 850V 的電壓，確保在電力轉換和分配中提供穩定的性能。

2. **電機控制系統**: 該 MOSFET 可在電機驅動和控制系統中使用，尤其適用於高電壓和較低電流的電機應用，如風扇控制和小型泵驅動。

3. **工業自動化設備**: K2646-01-VB 可應用於工業自動化中的開關電源和驅動電路，為電氣設備提供必要的高壓支持。

4. **電源管理解決方案**: 該器件在電源管理模組中表現出色，適合用於高電壓分配和轉換設備，確保高效能的電力管理。

5. **開關電源設計**: K2646-01-VB 可用於開關電源設計，提供高效的能量轉換，廣泛應用於電腦電源和消費電子產品。

通過其卓越的電壓承受能力和可靠性，K2646-01-VB 成為高壓電源和電力電子應用的理想選擇，能夠滿足現代電子設備日益增長的高電壓需求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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