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K3598-01-VB 產品詳細

產品簡介:

K3598-01-VB 產品簡介

K3598-01-VB是一款高性能單N通道MOSFET,採用TO220封裝,專為低至中壓電源管理應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為100V,適合多種電源轉換場合。該器件的閾值電壓(Vth)為1.8V,確保在較低的柵源電壓下高效開關。K3598-01-VB的導通電阻(RDS(ON))為38mΩ(@VGS=4.5V)和36mΩ(@VGS=10V),最大漏電流可達55A,保證在高負載條件下的穩定性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 55A Trench
K3598-01-VB 詳細參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:38mΩ(@ VGS = 4.5V),36mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏電流 (ID)**:55A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **開關電源**:K3598-01-VB非常適合開關電源(SMPS)設計,能在高效轉換中降低能量損耗,提升整體性能。

2. **電動機驅動**:在電動機控制應用中,該MOSFET可作為H橋電路的開關,廣泛應用於工業自動化和家電設備。

3. **LED驅動電路**:該器件可用於LED驅動電路,提供穩定的電流,確保LED的高亮度和一致性,適合商業照明和信號燈。

4. **電池管理系統**:K3598-01-VB能夠在電池管理系統中高效控制充放電過程,確保電池安全和長壽命,適合電動車輛及可再生能源系統。

5. **DC-DC轉換器**:該MOSFET非常適合DC-DC轉換器應用,能有效地實現電源轉換,提升可攜式設備的效率。

憑藉其優秀的電氣性能和廣泛的適用範圍,K3598-01-VB成為現代電源設計的重要選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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