K3678-01-VB - VBsemi MOSFETs製造商

K3678-01-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
K3678-01-VB 是一款高電壓單 N 通道 MOSFET，採用 TO220 封裝，專為高壓應用設計。其最大漏源電壓可達到 900V，適合需要穩定和高效能的電源管理系統，能夠承載高達 7A 的電流，確保在嚴苛條件下的可靠運行。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A			950mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A		SJ_Multi-EPI

詳細參數說明
- **型號**: K3678-01-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 900V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 950mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 7A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用：

適用領域和模組
K3678-01-VB 廣泛應用於高壓開關電源、逆變器和電動機驅動等領域。由於其高漏源電壓特性，特別適合用於太陽能逆變器和高壓直流轉換器，確保高效能和穩定性。此外，它在工業設備、照明控制和高壓電源系統中也被廣泛應用，為各種應用提供可靠的電力控制解決方案。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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