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K72E12N1-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介(K72E12N1-VB)

K72E12N1-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,適合高電流和低電壓應用。該器件具有100V的漏源電壓(VDS)和180A的最大漏極電流(ID),採用先進的Trench技術,確保其在高頻率和高效率開關應用中的優越性能。在10V柵極驅動電壓下,其導通電阻(RDS(ON))低至3mΩ,極大地降低了開關損耗和熱量產生,使其成為電源管理、功率轉換和驅動系統的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
詳細參數說明

- **型號**: K72E12N1-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 180A
- **技術**: Trench工藝
- **柵極電荷 (Qg)**: 低,適用於快速開關
- **開關時間**: 短,提升轉換效率
- **功耗**: 低功耗設計,減少熱損耗

領域和模塊應用:

適用領域和模組

1. **電源轉換器**
K72E12N1-VB 在電源轉換器(例如DC-DC轉換器)中被廣泛應用。其高電流承載能力和低導通電阻使其能夠在高效的電源管理系統中提供穩定的輸出,適合高頻切換應用,降低能量損失,提高系統效率。

2. **電機驅動**
由於其強大的性能,該MOSFET 適用於各種電機驅動器,特別是在高電流和高壓電機應用中,如電動車驅動、工業電機控制等。它的快速開關能力能夠有效提高電機控制系統的回應速度,增強整體性能。

3. **高效LED驅動電源**
K72E12N1-VB 在LED驅動電源設計中也有應用。其高電流和低電阻特性可以確保LED照明系統穩定的電流供應,優化LED光源的性能,並延長其使用壽命。

4. **電池管理系統(BMS)**
在電池管理系統中,該MOSFET 被用於電池充放電控制電路,能夠處理高電流,保證安全和效率,確保電池的長壽命和可靠性。其快速的開關特性和低導通電阻使其非常適合在能量密集型的應用中使用。

K72E12N1-VB
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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