K806TK4A60-VB - VBsemi MOSFETs製造商

K806TK4A60-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

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K806TK4A60-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，採用 TO220 封裝，專為高壓應用設計。該器件具有 650V 的漏極-源極電壓（VDS），能夠滿足高電壓環境下的工作要求。其柵極-源極電壓（VGS）為 ±30V，保證了在各種條件下的安全性與可靠性。K806TK4A60-VB 的閾值電壓（Vth）為 3.5V，導通電阻（RDS(ON)）為 2200mΩ（@ VGS=10V），在電流通過時提供較大的阻抗，這使其在高電流條件下的功耗略顯較高，最大漏極電流（ID）為 4A。該 MOSFET 採用平面工藝（Plannar）技術，具有良好的熱管理和穩定的電氣性能。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A			2200mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A		Plannar

**
- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：2200mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：4A
- **技術類型**：平面工藝（Plannar）
- **工作溫度範圍**：-55°C 至 +150°C
- **功耗（Ptot）**：100W
- **擊穿電壓**：650V
- **最大功耗**：100W

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領域和模塊應用：

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1. **高壓電源供應**：K806TK4A60-VB 常用於高壓電源供應和變換器中，其 650V 的漏極-源極電壓使其能夠在高電壓應用中可靠工作，如開關電源和逆變器。這種特性使其在工業和消費類電源模組中非常受歡迎。

2. **照明控制系統**：該 MOSFET 可用於高壓照明控制，如 HID 燈和 LED 驅動器，幫助確保穩定和高效的電流控制，提升照明設備的性能和壽命。

3. **電機驅動器**：K806TK4A60-VB 適合用於小型電機驅動應用，特別是在需要高壓和高電流控制的場合，如電動工具和家電設備。這種器件能夠在極端工作條件下保持良好的性能。

4. **電能計量與監控**：由於其高電壓和高功率耐受能力，K806TK4A60-VB 也可用於電能計量設備和監控系統中，確保精確的電能測量與控制，適應現代智能電錶的要求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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