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KF5N50P-VB 產品詳細

產品簡介:

KF5N50P-VB MOSFET 產品簡介

KF5N50P-VB是一款高壓單極N通道MOSFET,採用平面技術(Plannar),設計用於高效的功率轉換和開關應用。該MOSFET封裝在TO-220封裝中,具備高達600V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在常見的柵極驅動電壓下可靠開啟。該器件在VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為1070mΩ,而在VGS=10V時降低至780mΩ,減少了導通損耗。KF5N50P-VB的連續漏電流(ID)為8A,適合中到高功率的開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
詳細參數說明

- **封裝**: TO-220,適用於高功率應用的傳統封裝。
- **配置**: 單極N通道,適合多種電源管理和開關拓撲結構。
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V,適用於高壓應用。
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V,確保在高柵源電壓下穩定操作。
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V,提供可靠的開關性能。
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 在VGS=4.5V時為1070mΩ,
- 在VGS=10V時為780mΩ,最大限度地減少導通損耗。
- **連續漏電流 (ID)**: 8A,適合中等到高功率需求。
- **技術**: 平面技術(Plannar),適用於高電壓和高電流開關應用。

領域和模塊應用:

應用領域和模組

1. **開關電源**:
KF5N50P-VB MOSFET非常適合開關模式電源(SMPS),如AC-DC和DC-DC轉換器。由於其高漏源電壓(600V),該器件能夠滿足高壓電源的需求,同時其低導通電阻可有效減少能量損失,提高能效。

2. **電動機驅動**:
該MOSFET可用於電動機驅動電路,包括無刷直流電動機(BLDC)和步進電機驅動應用。其8A的連續漏電流能力使其能夠處理中等功率的電動機負載,適用於工業自動化和電動車輛驅動系統。

3. **電池管理系統 (BMS)**:
在電池管理系統中,KF5N50P-VB適用於高壓電池組的平衡和保護電路。它能夠承受高電壓,確保電池系統的安全性和效率,廣泛應用於電動車輛(EV)和儲能系統。

4. **照明控制**:
該MOSFET可以用於高壓LED照明系統中的驅動電路,適合工業和商業照明應用。其優越的導通特性使其在高效照明解決方案中表現出色,能夠提供長時間的穩定性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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