產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
二、KF7N50P-VB MOSFET 詳細參數說明
| **參數** | **描述** |
|-----------------------|------------------------------------|
| **封裝類型** | TO220 |
| **溝道配置** | 單 N 溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 500V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 3.1V |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 660mΩ@VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 13A |
| **技術類型** | 平面型（Plannar） |
| **最大功耗** | 45W |
| **工作溫度範圍** | -55°C 至 150°C |
KF7N50P-VB 的設計和技術特點使其在高壓電力轉換和電源管理中展現出卓越的性能，適用於各種電力電子應用。
---
領域和模塊應用：
三、KF7N50P-VB MOSFET 的應用領域與模組
1. **開關電源 (SMPS)**：
KF7N50P-VB 在開關電源模組中表現出色，能夠有效處理高達 500V 的輸入電壓。其較低的導通電阻（660mΩ@VGS=10V）確保了電源轉換的高效率，適用於各種高功率電子設備。
2. **電機驅動**：
該 MOSFET 適用於電機驅動電路，能夠提供 13A 的漏極電流，滿足工業電機的驅動需求。KF7N50P-VB 的高耐壓能力和良好的熱性能使其能夠穩定地控制電機的運行，提升驅動效率。
3. **電力轉換器 (Power Converters)**：
KF7N50P-VB 可以用於各種類型的電力轉換器，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。其高電壓和高電流處理能力，使其能夠在電力轉換過程中保持穩定的輸出，確保系統的可靠性。
4. **照明控制**：
此款 MOSFET 也可廣泛應用於 LED 照明控制電路中。憑藉其高效率和可靠性，KF7N50P-VB 能夠有效管理 LED 的開關和調光功能，適用於各種照明應用場景。
KF7N50P-VB 的廣泛應用領域，尤其是在高壓和高電流的電力電子模組中，使其成為理想的解決方案，能夠滿足現代電源管理的各類需求。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
立即下載
中文
English
返回上級頁面
