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KHB4D0N80P1-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介 - KHB4D0N80P1-VB

KHB4D0N80P1-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓和高效能應用設計。該器件具有最大漏源電壓(VDS)為850V,柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。其導通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時為2700mΩ,最大漏極電流(ID)為4A。KHB4D0N80P1-VB採用Plannar技術,具有良好的電氣性能和熱性能,適合用於需要高壓控制和穩定性的各種應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **通道類型**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 850V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術類型**: Plannar
- **最大耗散功率**: 50W(典型值)
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 850V
- **電流上升時間 (tr)**: 75ns
- **開關時間**: 快速開關速度

領域和模塊應用:

應用領域與模組
KHB4D0N80P1-VB廣泛應用於多個高壓和高效能控制領域,具體包括以下幾個模組:

1. **電源管理系統**:該MOSFET在開關電源(SMPS)和直流-直流變換器中表現出色,能夠有效地轉換和管理高電壓電源,降低能量損耗,提高整體能效。

2. **電機控制系統**:KHB4D0N80P1-VB非常適合用於電動機驅動和控制電路,通過其快速開關特性,可以實現對電動機的精確控制,提升工業自動化和生產效率。

3. **照明控制**:該MOSFET可以用於LED驅動和其他高功率照明應用,能夠穩定調節電流,確保光源在高效狀態下運行,從而延長光源的使用壽命。

4. **家用電器**:KHB4D0N80P1-VB在家用電器如空調、洗衣機和冰箱中得到了廣泛應用,能夠承受高電壓開關和控制需求,確保設備的穩定性和可靠性。

5. **逆變器和變頻器**:該MOSFET非常適合用於太陽能逆變器和變頻器,能夠支持高電壓和電流的轉換,提高系統的能效和可靠性,滿足現代可再生能源系統的需求。

總之,KHB4D0N80P1-VB憑藉其高耐壓、較低導通電阻和優秀的熱性能,是各種高壓開關和控制應用中的理想選擇,能夠有效提升設備的性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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