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KIA40N20A-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:KIA40N20A-VB

KIA40N20A-VB 是一款高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,採用 Trench 技術製造,封裝為 TO220。該器件具有最高 200V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS) 限制,使其適用於高電壓應用。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 3V,確保器件在適當的柵電壓下迅速開啟。KIA40N20A-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 58mΩ,在 VGS=10V 時可實現 35A 的最大漏極電流 (ID)。這使得該 MOSFET 在開關電源、逆變器和電機驅動等應用中具有出色的性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A 58mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**: TO220
- **溝道配置**: 單 N 溝道 MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 58mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 35A
- **技術**: Trench 技術
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 200V
- **結溫範圍 (Tj)**: -55°C 至 150°C
- **總柵電荷 (Qg)**: 80nC (典型)
- **開關速度**: 適用於高頻率應用
- **功耗 (Ptot)**: 最大 50W
- **熱阻 (RθJC)**: 1.5°C/W

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領域和模塊應用:

應用領域和模組:

1. **開關電源(SMPS)**: KIA40N20A-VB 在開關電源中被廣泛應用,能夠有效處理高電壓和大電流,使其在變換電壓和電流時展現出優秀的性能。其低導通電阻特性使得開關損耗最低,適合用於電源適配器和模組電源中。

2. **逆變器**: 此款 MOSFET 的高耐壓特性使其非常適合用於逆變器,例如太陽能逆變器和電動汽車逆變器。在這些應用中,KIA40N20A-VB 能夠提供穩定的電流輸出,確保在不同負載條件下的高效能和可靠性。

3. **電機驅動**: KIA40N20A-VB 的最大漏極電流能力使其成為電機驅動電路的理想選擇,尤其在工業電機和家用電器中。其低導通電阻有助於降低熱量產生,從而提高電機驅動的效率,延長設備使用壽命。

4. **LED 照明**: 在 LED 驅動應用中,該 MOSFET 由於其良好的開關特性和低功耗表現,能夠有效驅動高功率 LED 照明系統。其高耐壓特性使其適用於商業和工業照明領域,提供穩定的亮度和效率。

通過這些應用示例,可以看出 KIA40N20A-VB 在多個領域具有廣泛的適用性,特別是在需要高效率和穩定性的高電壓應用中,表現出色。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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