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L6372-VB 產品詳細

產品簡介:

以下是 L6372-VB MOSFET 的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模組的示例。

### 一、產品簡介

L6372-VB 是一款高性能的雙極 N+N 溝道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為需要高效率和小型化設計的應用而開發。該器件的最大漏極-源極電壓(VDS)為 30V,具有 ±20V 的柵極-源極電壓(VGS),適用於多種電源管理和開關應用。L6372-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保在低柵壓下可靠開啟。該 MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 時為 20mΩ,在 VGS = 10V 時為 16mΩ,展現出優異的導通性能和低功耗特性。L6372-VB 適合廣泛應用於需要高電流和低功耗的電子電路。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench

### 二、詳細參數說明

- **型號**: L6372-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙極 N+N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **技術**: Trench 技術

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領域和模塊應用:

## 三、適用領域和模組示例

L6372-VB MOSFET 可廣泛應用於多個領域和模組,以下是一些具體的示例:

1. **電源管理**:
- 在 DC-DC 轉換器中,作為開關元件,提供高效的電源轉換,適合用於可攜式設備的充電和電源適配器。

2. **LED 驅動器**:
- 作為 LED 照明電路中的開關,可以實現高效的 LED 驅動,確保較低的功耗和高亮度。

3. **電動工具**:
- 在電動工具中用作電機驅動開關,能夠處理高電流,增強工具的性能和可靠性。

4. **消費電子**:
- 在智能家居設備中,用作功率開關,提升設備的能效,延長電池使用時間。

5. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,用於控制各類電氣負載,例如車燈和電動窗,確保高效的電源管理。

6. **工業控制**:
- 在工業自動化系統中,作為電機控制和驅動開關,能夠提高系統的可靠性和能效。

以上資訊為 L6372-VB MOSFET 的詳細產品說明和應用示例,幫助理解其特性及適用領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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