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LD120-VB 產品詳細

產品簡介:

一、LD120-VB 產品簡介

LD120-VB是一款單N溝道MOSFET,採用DIP8封裝,專為中低壓應用設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為100V,能夠滿足各種電子設備和電源管理系統的需求。LD120-VB的柵源電壓(VGS)範圍為±20V,確保了其在不同工作條件下的穩定性。其閾值電壓(Vth)為2V,適合快速開關操作。在VGS為10V時,導通電阻(RDS(ON))低至100mΩ,表現出良好的導電性能,適用於電流高達3A的應用。LD120-VB採用先進的溝槽(Trench)技術,具有優良的熱性能和耐久性,是高效電力轉換和控制的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 100V 2V 3A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-N 100V 2V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-N 100V 2V 3A Trench
二、LD120-VB 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
|---------------------|--------------------------------------------|
| **封裝類型** | DIP8 |
| **通道配置** | 單N溝道 |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 100V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 2V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 120mΩ @ VGS=4.5V
100mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 3A |
| **技術類型** | 溝槽型(Trench) |
| **工作溫度範圍** | -55°C 至 +150°C |
| **封裝特點** | 提供良好的散熱性能,適合多種中低壓應用 |

LD120-VB以其優秀的電氣特性和可靠性,適合各種電子電路的應用。

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組舉例

**1. 電源管理系統:**
LD120-VB廣泛用於開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器,能夠在中等負載條件下高效地進行電能轉換,特別適合於個人電腦電源、充電器和通信設備等。

**2. LED驅動:**
在LED照明系統中,LD120-VB可作為開關元件,能夠快速調節LED的驅動電流,實現高效、可靠的照明控制,廣泛應用於家居照明和商業照明系統。

**3. 電動機控制:**
該MOSFET適用於小型電動機控制電路,能夠在電動工具和家用電器中提供平穩的電機驅動,確保設備的高效運行。

**4. 自動化控制:**
在自動化控制系統中,LD120-VB可用於電源開關和負載控制,廣泛應用於工業自動化設備和智能家居系統,幫助實現智能電力管理。

**5. 汽車電子:**
在汽車電子應用中,LD120-VB可用於電源管理模組和負載開關,滿足高電流和高電壓條件下的性能要求,應用於汽車照明、動力控制等領域。

綜上所述,LD120-VB憑藉其低導通電阻、適中的電流能力和良好的熱性能,成為電源管理、電動機驅動以及其他中低壓應用的理想選擇,能夠有效滿足現代電子設備的各種需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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