產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
5.8A |
|
|
22mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
5.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN6(2X2)-B |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
5.8A |
|
Trench |
二、LHS6276-VB MOSFET詳細參數說明
- **封裝類型**: DFN6(2X2)-B
- **極性配置**: 雙N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ@VGS=4.5V
- 22mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5.8A
- **技術**: 溝槽式(Trench)技術
- **功率耗散**: 最大功率耗散能力通常在700mW左右,具體值需參考熱特性表。
- **工作溫度範圍**: -55°C至150°C,具體值需參考詳細技術文檔。
- **封裝引腳數**: 6引腳
領域和模塊應用:
三、LHS6276-VB MOSFET應用領域及適用模組舉例
1. **消費電子產品**
LHS6276-VB廣泛應用於各種消費電子設備,如智能手機、平板電腦和可攜式音響等。其高效率和小巧的封裝使其非常適合用於電源管理、充電電路和信號調節應用,從而提升設備的續航能力和整體性能。
2. **電源管理模組**
在電源管理模組中,LHS6276-VB被用於DC-DC轉換器和線性調節器的控制電路。其低導通電阻和高開關頻率使其能夠實現高效能的電源轉換,並減少熱量的產生,適合於高性能電源解決方案。
3. **汽車電子**
LHS6276-VB在汽車電子應用中也具有廣泛的應用前景,如電動汽車的動力系統管理和車載充電器等。其穩定的工作性能和高耐壓特性,使得其能夠應對汽車環境中的高溫、高濕和電磁干擾等挑戰。
4. **通信設備**
在通信設備中,LHS6276-VB用於路由器、交換機及信號放大器等產品。其高效能和穩定性確保了可靠的數據傳輸和信號放大能力,提升了網路設備的整體性能。
綜上所述,LHS6276-VB MOSFET憑藉其出色的電氣性能和廣泛的應用適用性,為現代電子產品提供了高效且可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性