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LHS6276-VB 產品詳細

產品簡介:

一、LHS6276-VB MOSFET產品簡介

LHS6276-VB是一款高性能雙N+N溝道MOSFET,採用DFN6(2X2)-B封裝,專為高效能和空間有限的應用設計。該器件具有最高漏源電壓(VDS)為30V,適合用於中等電壓的開關電源和電源管理電路。其柵源電壓(VGS)範圍為±20V,使得其能夠在多種工作條件下穩定運行。開啟閾值電壓(Vth)為1.7V,確保器件在較低柵電壓下快速開啟,從而提高系統的回應速度。LHS6276-VB在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為26mΩ,而在VGS為10V時為22mΩ,較低的導通電阻提高了能效並減少了功耗。該MOSFET的最大漏極電流(ID)為5.8A,適合於多種應用,包括電源轉換、開關電源和信號調節電路。LHS6276-VB廣泛應用於消費電子、通信設備及汽車電子等多個領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+N 30V 1.7V 5.8A Trench
二、LHS6276-VB MOSFET詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN6(2X2)-B
- **極性配置**: 雙N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ@VGS=4.5V
- 22mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5.8A
- **技術**: 溝槽式(Trench)技術
- **功率耗散**: 最大功率耗散能力通常在700mW左右,具體值需參考熱特性表。
- **工作溫度範圍**: -55°C至150°C,具體值需參考詳細技術文檔。
- **封裝引腳數**: 6引腳

領域和模塊應用:

三、LHS6276-VB MOSFET應用領域及適用模組舉例

1. **消費電子產品**
LHS6276-VB廣泛應用於各種消費電子設備,如智能手機、平板電腦和可攜式音響等。其高效率和小巧的封裝使其非常適合用於電源管理、充電電路和信號調節應用,從而提升設備的續航能力和整體性能。

2. **電源管理模組**
在電源管理模組中,LHS6276-VB被用於DC-DC轉換器和線性調節器的控制電路。其低導通電阻和高開關頻率使其能夠實現高效能的電源轉換,並減少熱量的產生,適合於高性能電源解決方案。

3. **汽車電子**
LHS6276-VB在汽車電子應用中也具有廣泛的應用前景,如電動汽車的動力系統管理和車載充電器等。其穩定的工作性能和高耐壓特性,使得其能夠應對汽車環境中的高溫、高濕和電磁干擾等挑戰。

4. **通信設備**
在通信設備中,LHS6276-VB用於路由器、交換機及信號放大器等產品。其高效能和穩定性確保了可靠的數據傳輸和信號放大能力,提升了網路設備的整體性能。

綜上所述,LHS6276-VB MOSFET憑藉其出色的電氣性能和廣泛的應用適用性,為現代電子產品提供了高效且可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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