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LSC11N60E-VB 產品詳細

產品簡介:

一、LSC11N60E-VB 產品簡介
LSC11N60E-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,設計用於高電壓和中等功率的電子應用。該器件具有600V的漏極-源極耐壓(VDS),適合在需要承受高電壓的環境下使用。其柵極-源極電壓(VGS)為±30V,導通電阻(RDS(ON))為380mΩ@VGS=10V,最大漏極電流為11A。這款MOSFET基於SJ_Multi-EPI技術,確保高效能和穩定性,廣泛應用於電源管理、照明控制以及其他工業領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 11A 380mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 11A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 11A SJ_Multi-EPI
二、LSC11N60E-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **極性配置**:單N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**:600V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:380mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:11A
- **技術**:SJ_Multi-EPI技術

領域和模塊應用:

三、適用領域和應用模組
1. **電源轉換器**
LSC11N60E-VB 廣泛應用於高電壓電源轉換器,尤其是在AC/DC和DC/DC轉換器中作為開關元件。由於其600V的耐壓能力,該MOSFET 能夠處理高電壓輸入,確保電能的高效轉換。

2. **照明控制系統**
在LED照明和其他照明控制系統中,LSC11N60E-VB 可以用作開關器件,調節流向LED模組的電流。其高耐壓和較低的導通電阻使其在照明應用中表現出色,能夠提供穩定的驅動電流。

3. **工業設備控制**
該MOSFET 適合用於工業自動化系統中的電機驅動和控制電路。在電機控制應用中,它可以應對工業環境中的高電壓波動,確保系統的穩定和安全運行。

4. **電動汽車充電樁**
LSC11N60E-VB 也適用於電動汽車充電樁和電池管理系統,作為高壓電力調節和控制器件。其設計使其能夠處理高電壓和電流,確保充電過程的安全和效率,為電動汽車充電提供可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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