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LZ44Z-VB 產品詳細

產品簡介:

LZ44Z-VB MOSFET 產品簡介

LZ44Z-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,採用**TO220封裝**,設計用於高電流和中等電壓的應用場合。該器件的**漏源電壓(VDS)為60V**,使其能夠在較高的電壓環境下穩定工作,適合用於多種電源管理和開關控制應用。**柵源電壓(VGS)為±20V**,提供靈活的控制選項,適合與多種邏輯電平電路配合。LZ44Z-VB的**閾值電壓(Vth)為1.7V**,可在較低的柵極驅動電壓下啟用,便於集成在邏輯電平系統中。其**導通電阻(RDS(ON))為13mΩ@VGS=4.5V和11mΩ@VGS=10V**,在導通狀態下極低的電阻值幫助降低能量損耗,提升電路的效率。**最大漏電流(ID)為60A**,滿足高電流應用需求,採用的**槽(Trench)技術**確保了其在高速開關應用中的優越性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
LZ44Z-VB 詳細參數說明

- **器件類型**:單N溝道MOSFET
- **封裝**:TO220
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:13mΩ @ VGS=4.5V,11mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:60A
- **技術**:槽(Trench)技術
- **最大功耗**:通常依賴於具體應用場景(參照製造商數據手冊)
- **工作溫度範圍**:可達175°C
- **反向恢復時間(trr)**:短,適合高頻開關應用
- **柵電荷(Qg)**:適中,優化開關性能和效率

領域和模塊應用:

LZ44Z-VB 適用領域和模組

LZ44Z-VB MOSFET因其卓越的性能,廣泛應用於多個領域,尤其適合以下應用場景:

1. **電源管理系統**:LZ44Z-VB在**DC-DC轉換器**、**開關模式電源(SMPS)**等電源管理應用中表現出色,其低導通電阻有效降低了能量損耗,提高了電源轉換效率,適合用於需要高效率和高穩定性的場合。

2. **電動機驅動**:該MOSFET廣泛應用於**電動機控制電路**,尤其是在電動車和其他工業電機驅動系統中。由於其高電流承載能力(60A),能夠滿足高功率電動機的驅動需求,確保平穩、高效的運行。

3. **汽車電子**:在**汽車電子系統**中,LZ44Z-VB適用於**電源分配**、**電動助力轉向**和其他關鍵控制模組。其高電流和耐高壓特性確保了在汽車的惡劣工作環境中提供穩定的性能。

4. **工業控制**:在**工業自動化設備**和**機器人控制系統**中,該MOSFET可以用於**負載切換**和**繼電器驅動**,其高效的開關特性和低導通損耗提升了系統的整體效率和可靠性。

LZ44Z-VB是一款性能優異的MOSFET,適用於中等電壓和高電流的電源管理與控制系統,憑藉其低導通電阻和高效能,在眾多應用中展現出廣泛的應用前景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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