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MC3219-VB 產品詳細

產品簡介:

MC3219-VB MOSFET 產品簡介
MC3219-VB 是一款高效能的單 P 溝道功率 MOSFET,採用 DFN8(3X2)-B 封裝,設計用於負壓電源管理和開關應用。該 MOSFET 具有 -30V 的漏源電壓 (VDS) 和 -5.1A 的最大漏極電流 (ID),基於先進的 Trench 技術,提供極低的導通電阻 (RDS(ON)),確保高效能和可靠性。MC3219-VB 的小型化設計和出色的性能使其適合現代電子設備的需求,廣泛應用於各種電源和控制系統中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A 30mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X2)-B Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A Trench
詳細參數說明
- **封裝類型**: DFN8(3X2)-B
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -5.1A
- **技術**: Trench 技術
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 150°C
- **封裝外形尺寸**: DFN8(3X2),適合高密度電路設計,提供良好的散熱性能。

領域和模塊應用:

適用領域及模組示例
1. **電源管理系統**: MC3219-VB 在 DC-DC 轉換器和電源管理 IC 中表現出色,適用於負壓電源的高效轉換。其低導通電阻確保高效的功率傳輸,適合於可攜式設備和電源適配器等應用。

2. **電動汽車和混合動力車**: 在電動汽車和混合動力車的電源控制模組中,MC3219-VB 可用於電池管理和能量分配,確保在不同工況下的安全和效率。其高電流能力和出色的熱性能使其成為車輛電源系統的理想選擇。

3. **開關電源**: 在開關電源模組中,MC3219-VB 可用於實現高效的負載切換,優化電源輸出。其快速開關特性和低損耗特性使其在高頻應用中表現優異,適合用於電腦電源和消費電子產品中。

4. **家用電器**: 由於其小型化封裝和高性能,MC3219-VB 非常適合用於家用電器的電源管理和控制電路,例如洗衣機、微波爐等設備。其可靠性和高效性有助於提高設備的性能和節能效果。

綜上所述,MC3219-VB MOSFET 憑藉其卓越的性能和緊湊的設計,成為電源管理、電動汽車、開關電源及家用電器等領域的理想解決方案,是現代電子產品中不可或缺的可靠組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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