產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
|
32/69mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X2)-B |
Dual-N+P |
±20V |
|
0.8/-0.8V |
5.9/-4.1A |
|
Trench |
MC3821-VB 詳細參數說明
- **封裝 (Package)：** DFN8(3X2)-B
- **配置 (Configuration)：** 雙 N+P 溝道 (Dual-N+P-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)：** ±20V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±8V
- **閾值電壓 (Vth)：** 0.8V (N 通道) / -0.8V (P 通道)
- **導通電阻 (RDS(ON))：**
- N 通道：
- 36mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- P 通道：
- 97mΩ @ VGS = 4.5V
- 69mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)：**
- N 通道：5.9A
- P 通道：-4.1A
- **技術 (Technology)：** Trench
領域和模塊應用：
MC3821-VB 應用領域及模組
1. **電源管理**：MC3821-VB 非常適合用於高效的電源管理系統。其雙通道設計允許在同一封裝中實現更小的佈局，能夠有效地控制電源開關和負載分配，尤其是在DC-DC轉換器和線性穩壓器等應用中。
2. **負載開關**：在負載開關應用中，MC3821-VB 能夠在較低的電壓和高電流條件下，提供可靠的開關功能。其低導通電阻特性使得在通斷狀態下能量損失最小化，適合用於智能家居、消費電子等產品中。
3. **H橋電路**：在電機驅動和 H 橋配置中，MC3821-VB 可以實現高效的正反轉控制，適用於無刷電機、步進電機及其他電機驅動應用。通過優化的驅動信號，能夠快速且精確地控制電機的速度和方向。
4. **信號切換**：該 MOSFET 可以用作各種信號切換電路中的開關，包括音頻信號切換和視頻信號切換。其低閾值電壓設計使得即使在低電壓條件下也能快速回應，確保信號的完整性和清晰度。
5. **汽車電子**：MC3821-VB 在汽車電子領域同樣具有廣泛的應用潛力，例如用於電源管理和控制模組。在車輛電氣系統中，其能夠承受的寬電壓範圍使其成為理想的選擇，確保車輛在不同工作狀態下的穩定運行。
綜上所述，MC3821-VB 以其優異的電氣性能和廣泛的適用性，成為電源管理、負載開關、H 橋電路及信號切換等多個領域的理想選擇。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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