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MCH3309TL-VB 產品詳細

產品簡介:

MCH3309TL-VB MOSFET 產品簡介

MCH3309TL-VB是一款**單P溝道MOSFET**,採用小型**SC70-3**封裝,專為高效開關應用設計。其漏源電壓(VDS)為**-20V**,適合在負電壓環境中工作。該器件的柵源電壓(VGS)為**±12V**,並具有極低的閾值電壓(Vth)為**-0.6V**,使其能夠在較低的柵極電壓下迅速開啟,提供高效的開關性能。

在導通狀態下,MCH3309TL-VB的導通電阻(RDS(ON))在不同柵極電壓下表現出優異的性能:**100mΩ@VGS=2.5V**和**80mΩ@VGS=4.5V**,確保在工作時的低功耗損耗。其最大漏極電流為**-3.1A**,適合多種應用需求。採用**Trench技術**,不僅有效降低了導通電阻,還提高了器件的熱管理能力,使其在高頻開關應用和低功耗電路中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
MCH3309TL-VB 詳細參數說明

- **器件類型**:單P溝道MOSFET
- **封裝**:SC70-3
- **漏源電壓(VDS)**:-20V
- **柵源電壓(VGS)**:±12V
- **閾值電壓(Vth)**:-0.6V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 80mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流(ID)**:-3.1A
- **技術**:Trench技術
- **柵極電荷(Qg)**:低柵電荷特性,適合高效開關操作
- **反向恢復時間(trr)**:短,適合高速開關應用
- **工作溫度範圍**:通常可達150°C
- **熱阻**:低熱阻,優化了封裝下的散熱性能

領域和模塊應用:

MCH3309TL-VB 適用領域和模組

1. **移動設備**:MCH3309TL-VB由於其小型的SC70-3封裝和低導通電阻,非常適合於**智能手機**、**平板電腦**和其他**可攜式電子設備**中的電源管理與開關應用。其快速開啟特性能夠有效提升設備的回應速度,同時降低功耗,延長電池使用時間。

2. **電源管理模組**:該MOSFET廣泛應用於**DC-DC轉換器**,尤其是在需要負電壓操作的場合。其能夠在較低的柵極電壓下工作,適合用於負壓降壓轉換器和升壓轉換器的主開關,能夠有效提升轉換效率,降低能量損耗。

3. **負載開關**:在各種電子產品中,MCH3309TL-VB可以用作**負載開關**,有效控制電流的通斷,特別是在**LED驅動器**和**電源管理**等領域,能夠通過控制開關的導通來管理系統功耗,提升整體能效。

4. **工業控制和家電**:MCH3309TL-VB也適用於**工業控制系統**和**家電產品**,例如**電機驅動**和**加熱控制**等應用。其良好的開關性能和熱管理能力確保了在高負載條件下的穩定運行,提升了設備的可靠性。

總之,MCH3309TL-VB因其高效性、穩定性和小型化設計,成為現代電子產品中電源管理、開關控制及負載開關等應用的理想選擇,滿足各種行業的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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