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MDP2N60-VB 產品詳細

產品簡介:

MDP2N60-VB 產品簡介
MDP2N60-VB 是一款採用 TO220 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,專為高壓應用而設計。其漏源電壓 (VDS) 高達 650V,漏極電流 (ID) 可達到 2A,適合在高壓條件下工作的應用。它具備±30V 的柵源電壓 (VGS) 容差,閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在 VGS = 10V 時,導通電阻 (RDS(ON)) 為 3120mΩ,採用平面 (Plannar) 技術,確保在高電壓環境下的穩定性和可靠性,廣泛應用於電源管理、開關電源 (SMPS) 和高壓轉換器等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
MDP2N60-VB 詳細參數說明
- **封裝 (Package):** TO220
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 2A
- **技術 (Technology):** 平面 (Plannar)

領域和模塊應用:

MDP2N60-VB 應用領域及模組
1. **開關模式電源 (SMPS)**:MDP2N60-VB 非常適合高壓開關模式電源中的應用,尤其在需要高耐壓和可靠開關性能的場合。其低漏源電流和高電壓處理能力使其成為 SMPS 電路中的理想選擇,確保高效能量傳輸。

2. **高壓轉換器**:該 MOSFET 適用於高壓 DC-DC 和 AC-DC 轉換器,在這些系統中需要高耐壓元件來處理複雜的電壓轉換過程。MDP2N60-VB 能夠提供穩定的電壓控制,適應多種輸入輸出電壓範圍。

3. **工業電源模組**:在工業電源模組中,MDP2N60-VB 提供了高效的電壓轉換和負載管理能力。由於其高壓處理性能和低導通電阻,它能有效提高模組的工作效率,減少功率損耗。

4. **照明驅動器**:該器件也適用於高壓 LED 驅動器應用,尤其是在需要穩定電源管理的照明系統中。其高電壓承受能力確保 LED 驅動電路的穩定運行,並提升系統壽命。

5. **電源保護電路**:MDP2N60-VB 可用於高壓電源保護電路,防止過壓或過流對設備造成損害。其快速回應能力能夠提供即時的保護,確保設備安全運行。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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