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MDU1512RH-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:MDU1512RH-VB MOSFET

MDU1512RH-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,採用緊湊的DFN8 (5x6)封裝,專為高電流應用而設計。其漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)為±20V,開啟電壓為1.7V。MDU1512RH-VB採用先進的Trench技術,極大地降低了導通電阻,RDS(ON)在VGS=4.5V時為2.5mΩ,在VGS=10V時僅為1.8mΩ。它的最大漏極電流可達160A,適用於高效率、高密度的電源和驅動應用,如電源管理、電機驅動和低壓轉換器等。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V時:2.5mΩ
- VGS = 10V時:1.8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:160A
- **技術類型**:Trench技術
- **最大功耗**:3W
- **工作溫度範圍**:-55°C至150°C
- **封裝引腳數**:8
- **反向恢復時間(trr)**:快恢復,適用於高頻應用

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例:

1. **高電流DC-DC轉換器**:
MDU1512RH-VB的低導通電阻和高電流處理能力使其成為高效率DC-DC降壓轉換器的理想選擇。在伺服器、電信設備和工業電源中,這款MOSFET能夠有效提高電源轉換效率並降低能量損耗。

2. **電機驅動**:
其160A的高漏極電流能力和緊湊的封裝非常適合應用於電動工具、電動汽車和無人機等領域的電機驅動系統。MDU1512RH-VB能夠承受電機啟動時的瞬態高電流,並維持運行時的穩定性。

3. **電源管理模組(VRM)**:
在電腦和圖形處理器的電源管理模組中,MDU1512RH-VB因其極低的導通電阻和快速切換特性,能夠有效減少電源損耗,提高供電效率,滿足高性能計算和遊戲系統的高功率需求。

4. **負載開關和電源保護**:
該MOSFET在電源管理和負載開關中能夠提供快速回應和低導通電阻的優勢,適合用於消費類電子設備、如智能手機、平板電腦等的電池管理電路,延長設備電池壽命。

5. **通信和網路設備**:
MDU1512RH-VB的高效電源轉換能力使其在通信設備、如基站和路由器等領域中也有重要應用。這些設備要求長期穩定的電源供應,而這款MOSFET提供了高效的電流處理能力和可靠性。

總的來說,MDU1512RH-VB MOSFET憑藉其卓越的導通性能和高電流承載能力,廣泛適用於需要高效率和高可靠性的電源管理和驅動應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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