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ME4502-VB 產品詳細

產品簡介:

一、ME4502-VB 產品簡介
ME4502-VB 是一款 **雙通道 N+P 溝道 MOSFET**,採用 **SOP8 封裝**,針對多功能電源控制和負載切換應用進行了優化設計。該器件在一個封裝內集成了 N-溝道和 P-溝道 MOSFET,簡化了電路設計,並減少了占板面積。其 **漏源電壓 (VDS)** 為 ±30V,支持 **10A 的 N-溝道電流** 和 **-8A 的 P-溝道電流**。
憑藉低導通電阻 (RDS(ON)) 和快速開關速度,ME4502-VB 能夠有效降低損耗、提高系統的整體效率,非常適合用於電源管理、負載開關和電機驅動等場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A 11/21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
二、ME4502-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:SOP8
- **通道配置**:雙通道 N+P(Dual-N+P-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V / -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- **N-溝道**:13mΩ @ VGS=4.5V;11mΩ @ VGS=10V
- **P-溝道**:28mΩ @ VGS=4.5V;21mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A (N-溝道) / -8A (P-溝道)
- **技術**:Trench 技術

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領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

1. **電源管理模組 (PMIC)**
ME4502-VB 可用於電源管理 IC 的負載開關和電壓調節模組中,支持雙極性切換,有效管理電源的分配和開關操作。

2. **電池管理系統 (BMS)**
在鋰電池組和移動電源中,該 MOSFET 能用於充放電控制和電池保護功能。N-溝道用於控制充電路徑,而 P-溝道用於放電路徑,保證電池的高效管理。

3. **消費類電子設備**
適用於筆記本電腦、智能手機及其他便攜設備中的功率切換和待機電源控制,降低系統功耗並延長設備續航。

4. **電機控制與驅動**
在電機控制應用中,ME4502-VB 可用於驅動小型電機或提供 H 橋配置,適合於智能家居設備及機器人系統中的雙向控制。

5. **LED 照明與顯示幕控制**
可在 LED 燈具或顯示幕的驅動電路中,用於 PWM 調光和電流切換,提高光源的穩定性與能效。

6. **工業控制系統**
適合用於 PLC 模組或其他工業系統中的雙向負載切換,支持不同方向的電流流動以實現靈活的控制。

ME4502-VB 的集成化雙通道設計使其成為電源管理和負載切換的理想選擇。在空間受限、要求高效能的應用中,該 MOSFET 提供了簡化的設計方案,並提升了整體性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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