產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
|
11/21mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
二、ME4502-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **通道配置**:雙通道 N+P(Dual-N+P-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V / -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- **N-溝道**:13mΩ @ VGS=4.5V;11mΩ @ VGS=10V
- **P-溝道**:28mΩ @ VGS=4.5V;21mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A (N-溝道) / -8A (P-溝道)
- **技術**:Trench 技術
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領域和模塊應用:
三、應用領域和模組示例
1. **電源管理模組 (PMIC)**
ME4502-VB 可用於電源管理 IC 的負載開關和電壓調節模組中,支持雙極性切換,有效管理電源的分配和開關操作。
2. **電池管理系統 (BMS)**
在鋰電池組和移動電源中,該 MOSFET 能用於充放電控制和電池保護功能。N-溝道用於控制充電路徑,而 P-溝道用於放電路徑,保證電池的高效管理。
3. **消費類電子設備**
適用於筆記本電腦、智能手機及其他便攜設備中的功率切換和待機電源控制,降低系統功耗並延長設備續航。
4. **電機控制與驅動**
在電機控制應用中,ME4502-VB 可用於驅動小型電機或提供 H 橋配置,適合於智能家居設備及機器人系統中的雙向控制。
5. **LED 照明與顯示幕控制**
可在 LED 燈具或顯示幕的驅動電路中,用於 PWM 調光和電流切換,提高光源的穩定性與能效。
6. **工業控制系統**
適合用於 PLC 模組或其他工業系統中的雙向負載切換,支持不同方向的電流流動以實現靈活的控制。
ME4502-VB 的集成化雙通道設計使其成為電源管理和負載切換的理想選擇。在空間受限、要求高效能的應用中,該 MOSFET 提供了簡化的設計方案,並提升了整體性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性