推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

MI5405-VB 產品詳細

產品簡介:

MI5405-VB 產品簡介

MI5405-VB 是一款高性能單 P-Channel MOSFET,採用 DFN8(5X6) 封裝,設計用於要求高效率和緊湊佈局的應用。該器件的漏極至源極電壓(VDS)為 -30V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,具有較低的閾值電壓(Vth)為 -2.5V。憑藉其先進的 Trench 技術,MI5405-VB 提供了卓越的導通電阻性能,分別為 12mΩ 和 7.8mΩ,在不同的柵源電壓下支持高達 -60A 的漏電流。這使得 MI5405-VB 非常適合用於電源管理、開關控制及其他需要高效能的電子電路。

---

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A 7.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A Trench
詳細參數說明

- **型號**: MI5405-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **配置**: Single-P-Channel
- **漏極至源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 7.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: -60A
- **技術**: Trench

---

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **電源管理**
MI5405-VB 在開關電源和 DC-DC 轉換器中非常有效。它的高電流承載能力和低導通電阻有助於提升電源效率,適合在電源模組中作為高效開關器件。

2. **電池管理系統 (BMS)**
在電池管理應用中,MI5405-VB 可用於電池的充放電控制。由於其優異的導通性能和耐壓能力,它特別適合於電動車和可再生能源系統的電池管理。

3. **負載開關**
MI5405-VB 可用於各種負載開關電路,提供可靠的開關功能,適合家用電器和工業設備。其出色的功耗性能使其成為高效的選擇。

4. **LED 驅動電路**
該 MOSFET 可用於 LED 驅動電路,支持穩定的電流輸出,適合用於商業照明、汽車燈光和其他照明應用,以實現更高的能效和更長的使用壽命。

5. **消費電子產品**
在各種消費電子產品中,MI5405-VB 能夠有效控制電源開關,如智能手機、平板電腦和其他可攜式設備,確保設備高效能並延長電池壽命。

---

綜上所述,MI5405-VB 單 P-Channel MOSFET 以其高效能和多用途的特性,廣泛應用於電源管理、負載開關和 LED 驅動等多個領域,為各種電子設備提供了穩定且高效的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢