產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
5.5mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
|
Trench |
詳細參數說明
| 參數 | 描述 |
|---------------------|------------------------------------|
| **型號** | MI8402-VB |
| **封裝** | DFN8 (3x3) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 20V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±12V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 5.5mΩ（@VGS=2.5V） |
| | 5.5mΩ（@VGS=4.5V） |
| **最大漏電流 (ID)** | 58A |
| **技術** | Trench技術 |
領域和模塊應用：
適用領域和模組示例
MI8402-VB MOSFET在多個領域和模組中具有廣泛的應用，以下是一些具體示例：
1. **電源管理模組**：
- 在開關電源（SMPS）和DC-DC轉換器中，MI8402-VB可作為主開關元件，其低導通電阻和高電流處理能力能夠提高系統效率，降低熱損耗，確保電源穩定運行。
2. **電機驅動**：
- 在電動機控制電路中，MI8402-VB可以用於H橋電路，提供高效的電流開關，以實現平穩的電機控制和快速回應。
3. **電池管理系統**：
- MI8402-VB適合用於電池充電和放電管理的應用中，其高電流承載能力能夠有效控制充電過程，延長電池使用壽命。
4. **LED驅動電路**：
- 在LED照明控制中，MI8402-VB可用於高效的LED驅動電路，以實現更高的能效和更好的光輸出。
5. **可攜式電子設備**：
- 由於其小型化的DFN封裝和高效性能，該MOSFET特別適合應用於智能手機、平板電腦等可攜式設備的電源管理模組，能夠在有限空間內實現高性能電源轉換。
通過上述應用，MI8402-VB展現出其在現代電子設備中的重要性，能夠有效提高系統的整體性能和可靠性。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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