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MI8618-VB 產品詳細

產品簡介:

一、MI8618-VB 產品簡介

MI8618-VB 是一款採用 **DFN8(3X3)** 封裝的 **單N溝道 MOSFET**,設計用於高效低電壓應用。其 **最大漏源電壓 (VDS)** 為 30V,**柵源電壓 (VGS)** 為 ±20V,支持多種電路環境中的靈活應用。**閾值電壓 (Vth) 為 1.7V**,確保在較低驅動電壓下的快速回應。該器件的 **導通電阻 (RDS(ON))** 在 VGS = 4.5V 時為 19mΩ,而在 VGS = 10V 時僅為 13mΩ,有助於減少導通損耗。MI8618-VB 具備 **最大漏極電流 (ID)** 為 30A,結合 **Trench 技術**,提供卓越的開關性能和高效率。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 13mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
二、MI8618-VB 詳細參數說明

| **參數** | **數值** |
|----------------------|--------------------------|
| **型號** | MI8618-VB |
| **封裝** | DFN8(3X3) |
| **配置** | 單N溝道(Single-N-Channel) |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **最大柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 19mΩ @ VGS = 4.5V |
| | 13mΩ @ VGS = 10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 30A |
| **技術** | Trench |

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組

1. **電源管理系統**
MI8618-VB 非常適合用於 **DC-DC 轉換器** 和 **電池管理系統(BMS)**,特別是用於負載較大的場合,如伺服器電源或工業設備中的低壓電源控制模組。

2. **汽車電子**
在汽車中的低壓模組,如 **車載資訊娛樂系統** 和 **感測器模組**,MI8618-VB 提供高效能的電流控制,確保在嚴苛環境下的穩定性和長壽命。

3. **可攜式設備**
在筆記本電腦、智能手機及其他可攜式電子產品中,MI8618-VB 可用於實現高效電源調節,幫助延長電池壽命並減少發熱。

4. **電機驅動**
MI8618-VB 適用於 **小型無刷電機控制器** 和 **風扇驅動模組**,通過其低導通電阻降低能耗,提升系統的效率。

5. **LED 照明系統**
在 LED 驅動電路中,MI8618-VB 可確保電流的精准控制,防止電流波動引起的亮度不穩定,提高整體照明效率。

MI8618-VB 以其低導通電阻、高電流能力和小巧的封裝,適應於從消費電子到工業應用的廣泛場景,成為高性能、高可靠性 MOSFET 的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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