產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
850V |
|
3.5V |
4A |
|
|
2700mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
850V |
|
3.5V |
4A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
850V |
|
3.5V |
4A |
|
Plannar |
二、MT3N80C-VB 詳細參數說明
| **參數** | **描述與值** |
|-------------------------|---------------------------------------|
| **封裝 (Package)** | TO-220 |
| **極性 (Configuration)**| 單 N-溝道 MOSFET |
| **漏源電壓 (VDS)** | 850V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 2700mΩ @ VGS = 10V |
| **漏極電流 (ID)** | 4A |
| **技術 (Technology)** | 平面技術 (Plannar) |
| **功耗 (Pd)** | 最大 100W，具體取決於散熱條件 |
| **工作溫度範圍** | -55°C 至 150°C |
---
領域和模塊應用：
三、MT3N80C-VB 應用領域與模組
MT3N80C-VB 在多個領域和模組中展現出廣泛的應用潛力：
1. **電源轉換器**
- 在 **開關電源 (SMPS)** 中，MT3N80C-VB 可作為主要的開關元件，能夠高效轉換電能，並提供穩定的電壓輸出，適合用於大功率電源系統。
2. **逆變器**
- 該 MOSFET 常用於 **逆變器** 中，將直流電轉換為交流電，廣泛應用於太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中，以提高能量轉換效率。
3. **電機控制**
- 在 **電機驅動器** 中，MT3N80C-VB 用於控制直流電機的開關，提供可靠的電流管理，實現精確的電機控制，適合用於電動工具和家用電器。
4. **高壓電源系統**
- 由於其高漏源電壓能力，MT3N80C-VB 適合在 **高壓電源系統** 中使用，如實驗室電源和工業設備，為高電壓應用提供穩定的電源解決方案。
5. **電氣設備保護**
- 在各種電氣設備中，該 MOSFET 可以用於 **過電流和短路保護**，確保設備在異常情況下的安全運行。
6. **照明系統**
- MT3N80C-VB 也可用於 **LED驅動電源**，控制 LED 燈的開關，提供高效的電力管理，適應現代照明需求。
MT3N80C-VB 以其高電壓、良好的導通性能及寬廣的應用範圍，在電力管理和控制系統中起到至關重要的作用，是工程師在高壓應用中首選的器件之一。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
立即下載
中文
English
返回上級頁面
